[发明专利]包括凸块下金属化焊盘的半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体芯片；

下再分布层，其位于所述半导体芯片的下表面上；

下钝化层，其位于所述下再分布层的下表面上；

凸块下金属化焊盘，其位于所述下钝化层上，所述凸块下金属化焊盘包括上焊盘和连接到所述上焊盘的下焊盘，所述上焊盘在其上表面处的水平长度大于在其下表面处的水平长度；

种子层，其位于所述下钝化层与所述凸块下金属化焊盘之间；以及

外部连接端子，其位于所述凸块下金属化焊盘的下表面上，

其中，所述种子层包括：

第一种子部分，其覆盖所述上焊盘的侧表面，

第二种子部分，其覆盖所述上焊盘的下表面的至少一部分，以及

第三种子部分，其覆盖所述下焊盘的侧表面的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块下金属化焊盘的高度为8μm至12μm。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述种子层还包括第四种子部分，其覆盖所述下焊盘的下表面的一部分。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，还包括在所述第四种子部分内部被所述下钝化层、所述下焊盘、所述第四种子部分和所述外部连接端子围绕的空隙。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，从所述第四种子部分的上表面的内端部到所述下焊盘的下表面的相对端部的水平长度小于从所述下焊盘的下表面的相对端部到所述外部连接端子接触所述下焊盘的下表面的点的水平长度。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，从所述第四种子部分的上表面的内端部到所述下焊盘的下表面的相对端部的水平长度为1μm至3μm。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述下焊盘的下表面的相对端部到所述外部连接端子接触所述下焊盘的下表面的点的水平长度为4μm至6μm。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述下焊盘的下表面与所述下钝化层的下表面共面。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述第二种子部分的高度和所述第三种子部分的高度之和为所述下焊盘的高度的30％至80％。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述下焊盘的下部向下突出超出所述下钝化层的最下部。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第二种子部分的高度和所述第三种子部分的高度为所述下焊盘的高度的10％至60％。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述种子层包括Ti、TiO₂、CrN、TiCN或TiAlN。

13.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在不对称载体上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成第二钝化层；

形成覆盖所述第一钝化层的内部和所述第二钝化层的内部的种子层；

形成覆盖所述种子层的至少一部分的凸块下金属化焊盘；

对所述第一钝化层执行竖直蚀刻工艺以暴露出所述凸块下金属化焊盘的下表面的至少另一部分；

对所述种子层的被所述凸块下金属化焊盘的下表面覆盖的一部分执行水平蚀刻工艺；以及

在所述凸块下金属化焊盘的暴露下表面部分上形成外部连接端子。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述第一钝化层和所述第二钝化层分别包括沟槽，并且

所述第一钝化层的沟槽的宽度小于所述第二钝化层的沟槽的宽度。