[发明专利]包括凸块下金属化焊盘的半导体封装件及其制造方法

说明书

提供了一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；UBM焊盘，其位于下钝化层上，并且包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面处的水平长度大于在其下表面处的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；以及外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，其中，种子层包括覆盖上焊盘的侧表面的第一种子部分、覆盖上焊盘的下表面的一部分的第二种子部分以及覆盖下焊盘的侧表面的一部分的第三种子部分。

相关申请的交叉引用

于2020年11月25日在韩国知识产权局提交的标题为“包括UBM焊盘的半导体封装件”的韩国专利申请No.10-2020-0159622以引用方式全部并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种包括凸块下金属化(UBM)焊盘的半导体封装件。

背景技术

可以使用以下半加成工艺(SAP)来形成凸块下金属化(UBM)焊盘：其中，由铜制成的种子层设置在不对称载体上，涂覆光致抗蚀剂，遭受光致抗蚀剂以曝光和显影，执行镀覆工艺，剥离光致抗蚀剂并且蚀刻种子部分。

发明内容

可以通过半导体封装件提供来实现实施例，该半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；凸块下金属化(UBM)焊盘，其位于下钝化层上，UBM焊盘包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面处的水平长度大于其在下表面处的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；以及外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，其中，种子层包括覆盖上焊盘的侧表面的第一种子部分、覆盖上焊盘的下表面的至少一部分的第二种子部分和覆盖下焊盘的侧表面的至少一部分的第三种子部分。

可以通过提供制造半导体封装件的方法来实现实施例，所述方法包括：在不对称载体上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第二钝化层；形成覆盖第一钝化层的内部和第二钝化层的内部的种子层；形成覆盖种子层的至少一部分的凸块下金属化(UBM)焊盘；对第一钝化层执行竖直蚀刻工艺，以暴露出UBM焊盘的下表面的至少另一部分；对种子层的被UBM焊盘的下表面覆盖的一部分执行水平蚀刻工艺；以及在UBM焊盘的暴露下表面部分上形成外部连接端子。

可以通过提供半导体封装件来实现实施例，半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上，下再分布层包括下绝缘层和下布线图案；封装层，其覆盖半导体芯片和下再分布层；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；凸块下金属化(UBM)焊盘，其位于下钝化层中，UBM焊盘包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面的水平长度大于在其下表面的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，外部连接端子被配置为将UBM焊盘与外部电互连；UBM过孔件，其位于下钝化层上，UBM过孔件将下再分布层和UBM焊盘电互连；上再分布层，其位于半导体芯片的上表面上，上再分布层包括上绝缘层和上布线图案；连接层，其将下再分布层和上再分布层电互连；以及上钝化层，其位于上再分布层上，其中，种子层包括围绕上焊盘的侧表面的第一种子部分、围绕上焊盘的下表面的至少一部分的第二种子部分以及围绕下焊盘的侧表面的至少一部分的第三种子部分。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，在附图中：

图1是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的截面图。

图2是图1中的部分A的放大图。

图3是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的截面图。

图4是图3中的部分B的放大图。

图5是根据本公开的示例性实施例的半导体封装件的截面图。

图6是图5中的部分C的放大图。