[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法在审
| 申请号： | 202111121503.0 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113823347A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄德佳;魏文喆;黄莹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 操作方法 | ||
1.一种用于三维(3D)NAND闪存的编程验证方法，包括：
对所述3D NAND闪存进行编程；
利用至少一个验证电压执行第一验证过程，
确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及
当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。
2.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：所述第一验证电压大于验证过程中所用的其他验证电压。
3.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：
接地所用的电压是0V。
4.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：
当所述第一验证电压不满足目标阈值电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程；以及
对所述3D NAND闪存的所述选择字线执行第二验证过程。
5.根据权利要求4所述的编程方法，还包括：
当所述第二验证过程的第二验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。
6.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：
当所述第一验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。
7.一种三维(3D)NAND存储器，所述3D NAND闪存包括：
多条位线，其中，所述多条位线包括多个字线(WL)层，以及
控制器，其被配置为对(3D)NAND闪存进行编程验证，包括：
对所述3D NAND闪存进行编程；
利用至少一个验证电压对所述3D NAND闪存执行第一验证过程，
确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及
当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。
8.根据权利要求7所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压低于或等于所述默认电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程。
9.根据权利要求7所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为确定所述第一验证电压是否满足目标阈值电压。
10.根据权利要求9所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压不满足目标阈值电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程，并对所述3DNAND闪存的所述选择字线执行第二验证过程。
11.根据权利要求10所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第二验证过程的第二验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。
12.根据权利要求9所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压满足所述目标阈值电压时，抑制所述3D NAND闪存的所述选择字线。
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