[发明专利]读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件

权利要求书

1.一种读出放大器，所述读出放大器包括：

位线读出放大器，所述位线读出放大器包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管；

第二导线，所述第二导线被配置为将所述第一晶体管电连接到所述第二晶体管并且在所述第一方向上延伸；以及

局部读出放大器，所述局部读出放大器被配置为至少部分地与所述第二导线交叠并且设置在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，

其中，所述局部读出放大器包括：

有源区；

多个栅极图案，所述多个栅极图案至少部分地在所述第一方向上延伸并且设置在所述有源区上；

第一接触，所述第一接触设置在所述多个栅极图案之间并且包括在所述第一方向上延伸的长边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的短边；以及

第一导线，所述第一导线在俯视图中与所述第一接触交叠的同时电连接到所述第一接触，并且包括在所述第一方向上延伸的第一导电区。

2.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述长边在所述第一方向上具有第一宽度，

所述短边在所述第二方向上具有第二宽度，并且

所述第一宽度比所述第二宽度长。

3.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述第一接触包括彼此不交叠的第一-第一接触和第一-第二接触，并且

所述第一导线包括至少部分地与所述第一-第一接触交叠的第一-第一导线和至少部分地与所述第一-第二接触交叠的第一-第二导线。

4.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述第一接触和所述多个栅极图案形成一个局部读出放大晶体管。

5.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述第二导线的至少一部分在俯视图中与所述多个栅极图案交叠。

6.根据权利要求5所述的读出放大器，其中，所述第二导线与所述多个栅极图案分离开。

7.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述第一导线与所述第二导线位于同一平面上并且彼此不交叠。

8.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述多个栅极图案包括：

第一栅极图案，所述第一栅极图案在被设置在所述有源区上的同时在所述第一方向上延伸，并且包括在俯视图中彼此不交叠的第一-第一栅极图案和第一-第二栅极图案，以及

第二栅极图案，所述第二栅极图案在所述第二方向上延伸并且不设置在所述有源区上。

9.根据权利要求8所述的读出放大器，其中，所述读出放大器还包括第二接触，所述第二接触在俯视图中与所述第二栅极图案交叠的同时电连接到所述第一-第一栅极图案和所述第一-第二栅极图案。

10.根据权利要求8所述的读出放大器，其中，所述多个栅极图案通过所述第二栅极图案连接以形成一个多指栅极图案。

11.根据权利要求8所述的读出放大器，其中，所述第二栅极图案包括彼此分离开并且彼此不交叠的第二-第一栅极图案和第二-第二栅极图案，

所述第二-第一栅极图案电连接到所述第一-第一栅极图案，并且

所述第二-第二栅极图案电连接到所述第一-第二栅极图案。