[发明专利]读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件

说明书

提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2020年11月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0145306的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。

背景技术

随着电子工业的发展，对提供大量功能、高速运行且具有最小尺寸的电子组件的需求不断增加。半导体存储器件是这些电子组件中的一种示例。半导体存储器件包括存储单元和驱动存储单元的外围电路。可以减小外围电路的面积以提高半导体存储器件的集成密度。

外围电路包括用于放大位线BL与互补位线BLB之间的电压差的读出放大器。随着半导体存储器件的集成密度增大，读出放大器的面积不断减小。因此，读出放大器中的接触的面积也减小。然而，接触的面积的减小导致半导体存储器件的性能恶化。

发明内容

本公开的至少一个实施例提供一种读出放大器，该读出放大器的运行性能通过增大有源区中的接触的面积来提高。

本公开的至少一个实施例还提供一种读出放大器，其中栅极图案延伸的方向与设置在栅极图案上的导线延伸的方向彼此重合。

根据示例性实施例，读出放大器包括：位线读出放大器，所述位线读出放大器包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管；第二导线，所述第二导线被配置为将所述第一晶体管电连接到所述第二晶体管并且在所述第一方向上延伸；以及局部读出放大器，所述局部读出放大器被配置为至少部分地与所述第二导线交叠并且设置在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间。所述局部读出放大器包括：有源区；多个栅极图案，所述多个栅极图案至少部分地在所述第一方向上延伸并且设置在所述有源区上；第一接触，所述第一接触设置在所述多个栅极图案之间并且包括在所述第一方向上延伸的长边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的短边；以及第一导线，所述第一导线在俯视图中与所述第一接触交叠的同时电连接到所述第一接触，并且包括在所述第一方向上延伸的第一导电区。

根据示例性实施例，半导体存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；位线读出放大器，所述位线读出放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为在针对所述多个存储单元的读出操作期间读出位线与互补位线之间的电势差；有源区，第二导线跨过所述有源区，所述第二导线将所述第一晶体管电连接到所述第二晶体管；栅极图案，所述栅极图案在俯视图中至少部分地与所述第二导线交叠并且在所述第二导线延伸的第一方向上延伸；第一导线，所述第一导线在所述第一方向上延伸，并且不与所述栅极图案和所述第二导线交叠；以及第一接触，所述第一接触与所述第一导线交叠并且包括在所述第一方向上延伸的长边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的短边。