[发明专利]输出缓冲电路、稳压有源偏置电路、有源偏置电路在审

专利信息
申请号: 202111123526.5 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN113917970A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 吴奕蓬 申请(专利权)人: 西安博瑞集信电子科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 孟洁
地址: 710000 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 输出 缓冲 电路 稳压 有源 偏置
【权利要求书】:

1.一种输出缓冲电路,其特征在于,所述缓冲电路包括晶体管M4、M5,电阻R4;

所述晶体管M5的源极连接电源供电端,栅极与晶体管M1的漏极连接;

所述晶体管M4的栅极和漏极连接后与所述晶体管M5的漏极连接;

所述电阻R4的上端与所述晶体管M4的源极连接,下端与接地。

2.一种稳压有源偏置电路,其特征在于,包括权利要求1所述的输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的温度补偿电路、与所述输出缓冲电路连接的串联反馈电路;

所述串联反馈结构、温度补偿电路和输出缓冲电路的上端均与电源供电端连接,下端接地;

所述电源供电端并联去耦电容C1和C2,所述输出缓冲电路的所述晶体管M5的漏极通过电阻R5引出偏置电压。

3.如权利要求2所述的一种稳压有源偏置电路,其特征在于,所述串联反馈结构包括晶体管M1、M2,电阻R1、R2;

所述电阻R1和R2串联后与所述晶体管M1的漏极连接,其中,所述电阻R1上端与电源供电端连接,下端与所述晶体管M1的栅极连接;

所述晶体管M1的漏极与所述输出缓冲电路中的所述晶体管M5的栅极连接;

所述晶体管M2的栅极和漏极连接后与所述晶体管M1的源极连接,所述晶体管M2的源极接地。

4.如权利要求3所述的一种稳压有源偏置电路,其特征在于,采用单个二极管或多个二极管并联串接在所述晶体管M1的源极代替所述晶体管M2。

5.如权利要求2所述的一种稳压有源偏置电路,其特征在于,所述温度补偿电路包括晶体管M3,电阻R3;

所述电阻R3的上端与电源供电端连接,下端连接在所述晶体管M3的漏极;

所述晶体管M3的栅极和漏极相连后与所述输出缓冲电路中的晶体管M5的漏极连接,所述晶体管M3的源极接地。

6.如权利要求2所述的一种稳压有源偏置电路,其特征在于,采用多个二极管形式的晶体管或多个二极管串联在所述晶体管M5的漏极代替所述晶体管M4。

7.一种有源偏置电路,其特征在于,包括权利要求1所述的输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的稳压有源偏置模块;

所述稳压有源偏置模块和输出缓冲电路的上端均与电源供电端连接,下端接地;

所述电源供电端并联去耦电容C1和C2,所述输出缓冲电路的所述晶体管M5的漏极通过电阻R5引出偏置电压。

8.如权利要求7所述的一种稳压有源偏置电路,其特征在于,所述稳压有源偏置模块包括晶体管M1、M2、M3和电阻R1、R2、R3;

所述电阻R1和R2串联后与所述晶体管M1的漏极连接,其中,所述电阻R1的上端与电源供电端连接;

所述晶体管M2的栅极和漏极相连后与所述晶体管M1的源极连接,所述晶体管M2的源极接地;

所述电阻R3的上端与所述晶体管M1的栅极连接,下端接地;

所述晶体管M3的漏极与电源供电端连接,所述晶体管M3的源极与所述晶体管M1的栅极连接,所述晶体管M3的栅极与所述电阻R1和R2串联连接处连接。

9.如权利要求8所述的一种有源偏置电路,其特征在于,采用单个二极管或多个二极管并联串接在所述晶体管M1的源极代替所述晶体管M2。

10.如权利要求7所述的一种有源偏置电路,其特征在于,采用多个二极管形式的晶体管或多个二极管串联在所述晶体管M4的漏极代替所述晶体管M5。

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