[发明专利]输出缓冲电路、稳压有源偏置电路、有源偏置电路

说明书

本申请公开了输出缓冲电路、稳压有源偏置电路、有源偏置电路，其中，稳压有源偏置电路，包括输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的温度补偿电路、与所述输出缓冲电路连接的串联反馈电路，具有结构简单、尺寸小，静态功耗小、输出偏置电压可调、移植性强等优点，提高了稳压有源偏置电路模块的实用性；有源偏置电路，包括输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的稳压有源偏置模块，稳压有源偏置模块集抑制温度、电源波动功能于一体，电路结构更加简单，可调自由参数更多，可实现易于GaAs PHEMT射频放大器集成。

技术领域

本申请属于微电子、半导体及通信技术领域，涉及一种基于GaAs PHEMT工艺的稳压有源偏置电路。

背景技术

有源偏置电路一般用于射频/微波放大器中，主要为放大器提供稳定的直流偏置，有效降低放大器随温度和工艺参数波动的影响，因此，研究高性能偏置电路具有很大的应用前景和现实意义。

目前放大器中常用的放大器常用的器件工艺类型有GaAs PHEMT，SiGe HBT和CMOS。使用SiGe HBT和CMOS通常是出于成本和工艺兼容性的考虑，其在噪声性能和高频增益方面不如GaAs PHEMT，在为了实现更好的性能，放大器通常采用GaAs PHEMT工艺实现。为了实现工艺的兼容性，有源偏置电路的工艺需要基于GaAs PHEMT实现。

有源偏置电路是放大器的重要组成部分，主要影响放大器中主放大管的静态工作点，直接决定放大器的性能指标。这就要求有源偏电路工作稳定，且输出的偏置电压Vb不受环境温度变化、器件工艺参数偏差、电源电压波动数等多种因素的干扰，传统的电流镜有源偏置电路，能够很好地补偿放大管阈值电压随温度的变化，削弱环境温度变化的干扰，消除器件工艺的偏差。但是，传统电流镜有源偏置电路受电源波动影响较大，限制了其应用场景。因此，研制不随环境温度变化、器件工艺参数偏差的稳压有源偏置电路成为急需解决的技术难题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请采用的技术方案为：

本申请实施例第一方面提供一种输出缓冲电路所述缓冲电路包括晶体管M4、M5，电阻R4,M4采用GaAs E-PHEMT工艺，M5采用GaAs D-PHEMT工艺；

所述晶体管M5的源极连接电源供电端，栅极与晶体管M1的漏极连接；

所述晶体管M4的栅极和漏极连接后与所述晶体管M5的漏极连接；

所述电阻R4的上端与所述晶体管M4的源极连接，下端与接地。

本申请实施例第二方面提供一种稳压有源偏置电路，包括上述的输出缓冲电路、与所述输出缓冲电路连接的温度补偿电路、与所述输出缓冲电路连接的串联反馈电路；所述串联反馈结构、温度补偿电路和输出缓冲电路的上端均与电源供电端连接，下端接地；所述电源供电端并联去耦电容C1和C2，所述输出缓冲电路的所述晶体管M5的漏极通过电阻R5引出偏置电压Vb。

进一步地，在本申请提供的实施例中，所述串联反馈结构包括晶体管M1、M2，电阻R1、R2,M1、M2采用GaAs E-PHEMT工艺；

所述电阻R1和R2串联后与所述晶体管M1的漏极连接，其中，所述电阻R1上端与电源供电端连接，下端与所述晶体管M1的栅极连接；

所述晶体管M1的漏极与所述输出缓冲电路中的所述晶体管M5的栅极连接；

所述晶体管M2的栅极和漏极连接后与所述晶体管M1的源极连接，所述晶体管M2的源极接地。

进一步地，在本申请提供的实施例中，采用单个二极管或多个二极管并联串接在所述晶体管M1的源极代替所述晶体管M2。

进一步地，在本申请提供的实施例中，所述温度补偿电路包括晶体管M3，电阻R3,M3 采用GaAs E-PHEMT工艺；