[发明专利]一种低压差线性稳压器LDO上电电路

说明书

本发明提供了一种耐高压LDO及其上电电路，电流镜偏置子电路、误差放大器、功率级及其反馈子电路均与LDO上电子电路连接，LDO上电子电路用于保护电流镜偏置子电路、误差放大器、功率级及其反馈子电路；电流镜偏置子电路与误差放大器连接，误差放大器与功率级及其反馈子电路连接，电流镜偏置子电路用于对误差放大器提供偏置电压，功率级及其反馈子电路用于对误差放大器提供稳压保护。本发明所述的一种耐高压的LDO及其上电电路，可有效解决采用低压工艺设计制造，在高压下工作的LDO的可靠性问题。并通过仅将LDO关键部分替换为高压管，其余部分仍采用普通管设计，在一定程度上缓解了高压管带来的性能、面积劣势。

技术领域

本发明属于放大器电路技术领域，尤其是涉及一种低压差线性稳压器LDO上电电路。

背景技术

而随着工艺节点的进步，电路器件的耐压值普遍降低。而为节省成本，片上系统芯片通常采用同一套工艺进行设计，因此更加需要将高的输入电压转换为低电压，为后级电路模块供电。

低压差线性稳压器（LDO）具有输出噪声小，电路结构简单，面积小的优点。尤其是无片外电容结构的LDO，外围元器件较少，因而被广泛应用于片上系统芯片中。但与片上系统采用同一套低压工艺设计的LDO在高压下工作时，自身也存在着击穿风险，可靠性较低。

为了克服上述问题，通常需要采用耐压的晶体管来设计LDO，但由于耐高压的器件一般性能不如低压器件，并且往往需要更大面积。因此，如果能够在满足可靠性的前提下，LDO仅部分采用高压管，并设计上电电路防止其在上电瞬间被击穿，就能够很好的减小LDO的面积，节省成本，并发挥先进工艺的优势。

基于上述需求，本申请提供一种耐高压的LDO及其上电电路，可有效解决采用低压工艺设计制造，在高压下工作的LDO的可靠性问题。并通过仅将LDO关键部分替换为高压管，其余部分仍采用普通管设计，在一定程度上缓解了高压管带来的性能、面积劣势。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种耐高压的低压差线性稳压器LDO及其上电电路，以解决采用低压工艺设计制造，在高压下工作的低压差线性稳压器LDO的可靠性问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种低压差线性稳压器LDO上电电路，适用于一种耐高压的低压差线性稳压器LDO，包括耐高压低压差线性稳压器LDO、低压差线性稳压器LDO上电电路，耐高压的低压差线性稳压器LDO包括电流镜偏置电路、误差放大器、功率级及其反馈电路低压差线性稳压器LDO

电流镜偏置电路、误差放大器、功率级及其反馈电路均与低压差线性稳压器LDO上电电路连接，低压差线性稳压器LDO上电电路用于保护电流镜偏置电路、误差放大器、功率级及其反馈电路；

电流镜偏置电路与误差放大器连接，误差放大器与功率级及其反馈电路连接，电流镜偏置电路用于对误差放大器提供偏置电压，功率级及其反馈电路用于对误差放大器提供稳压保护。

进一步的，低压差线性稳压器LDO上电电路包括高压PMOS管M1、分压电阻R3、分压电阻R4、电容C2；二极管D1、二极管D2、二极管D3，电容C2与分压电阻R3并联，分压电阻R3一端与电源VDD连接，分压电阻R4的一端与分压电阻R3的另一端连接，分压电阻R4的另一端接地，高压PMOS管M1的源端连接电源VDD，高压PMOS管M1的栅端连接在分压电阻R3与分压电阻R4之间，高压PMOS管M1的漏端输出VLDO，二极管D1、二极管D2、二极管D3依次串联，二极管D1、二极管D2、二极管D3依次串联后与高压PMOS管M1并联。