[发明专利]一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法

权利要求书

1.一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。

2.根据权利要求1所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢钝化、氧化处理的具体方法如下,对制绒后的半导体基板采用板式等离子体增强化学的气相沉积设备在半导体基板表面沉积本征非晶硅层或掺杂非晶硅层，并进行退火处理；或者对制绒后的半导体基板采用管式等离子体增强化学的气相沉积设备在半导体基板表面沉积本征非晶硅层或沉积掺杂非晶硅层或直接通入氢气进行处理。

3.根据权利要求2所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢钝化工序中的退火处理，退火温度在400-500℃，退火时间20-30分钟。

4.根据权利要求2所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：沉积本征非晶硅层或掺杂非晶硅层的工艺气体由SiH₄、H₂、CO₂、CH₄、PH₃、B₂H₆中的几种构成，本征非晶硅层或掺杂非晶硅层厚度为100-200埃；所述板式等离子体增强化学的气相沉积设备电源采用13.56MHz、26MHz或40MHz；所述管式等离子体增强化学的气相沉积设备功率密度为500-2000Mw/cm²，电源频率为10MHz-100 MHz；采用管式等离子体增强化学的气相沉积设备直接通入氢气进行处理的具体方法为，将制绒后的半导体基板放入管式等离子体增强化学的气相沉积设备的沉积腔室内，在400-500℃温度下通入氢气处理20-30分钟，沉积腔室压力保持在10-500pa。

5.根据权利要求1所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢钝化、氧化处理后的清洗为采用酸性溶液或碱性溶液去除氢钝化、氧化处理形成的膜层，之后进行酸洗。

6.根据权利要求5所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述氢钝化、氧化处理后的清洗的具体方法为，采用氢氟酸与硝酸混合溶液去除氢钝化、氧化处理形成的膜层，之后使用氢氟酸溶液清洗，其中氢氟酸与硝酸混合溶液中氢氟酸与硝酸总质量百分比为15-30％，氢氟酸溶液中氢氟酸质量百分比为5-20％；或者，采用氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液去除氢钝化、氧化处理形成的膜层，之后依次使用盐酸双氧水溶液和氢氟酸溶液清洗硅片，其中氢氧化钠溶液中氢氧化钠质量百分比为5-25％，氢氧化钾溶液中氢氧化钾质量百分比为5-25％，盐酸双氧水溶液中盐酸双氧水总质量百分比为15-30％,氢氟酸溶液中氢氟酸质量百分比为5-20％。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：在制绒前的半导体基板表面高温沉积磷硅玻璃层，并进行退火处理。

8.根据权利要求7所述的采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：所述步骤B高温沉积PSG中高温沉积磷硅玻璃层的具体方法为，采用三氯氧磷扩散法进行高温沉积磷硅玻璃层；扩散温度为800℃-1100℃，扩散压力为50mbar-300mbar，扩散时间为5min-30min，在高温扩散过程中通入POCL₃、O₂、N₂，POCL₃气体流量为50sccm-500sccm，O₂气体流量为200sccm-2000sccm，N₂气体流量为500sccm-5000sccm。