[发明专利]一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法

说明书

本发明涉及一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。本发明的目的在于提供一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。

技术领域

本发明涉及一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法。

背景技术

当前，太阳能电池的研发与制作，主要围绕着降本增效方向展开，提高太阳电池的转换效率是发展太阳能事业的根本，降低太阳电池的制作成本是壮大太阳能事业的基础，是满足大规模生产的先决条件。

硅片是生产硅基太阳电池片所用的载体，一般分为单晶硅片、铸造单晶硅硅片和多晶硅片。众所周知，高水平的表面钝化是提高异质结太阳能电池转换效率的主要因素，而硅片生产过程中存在的缺陷和杂质极大影响了硅片的钝化水平，特别是铸造单晶硅硅片和多晶硅片中存在的缺陷尤其严重。

现有的异质结太阳能电池制备方法，无法改善硅片在生产过程中造成的缺陷和杂质，因此硅基异质结太阳能电池对硅片的品质要求较高，不但影响其电池转换效率，而且大大提高了硅片的生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：

(1)采用氢钝化、氧化处理并进行相应清洗去除后，在硅片表面形成高洁净层，从而大大提高了表面钝化水平。

(2)利用PSG吸杂，将金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放，并扩散到硅片表面而被捕获，达到清除杂质的目的，并且能够提高硅片的体少子寿命。

(3)采用高温退火方式，将晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，最终达到提高异质结太阳电池的电池效率。

附图说明

图1是本发明一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法实施例的流程简图。

具体实施方式

一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，其特征在于：它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。

所述氢钝化、氧化处理的具体方法如下,对制绒后的半导体基板采用板式等离子体增强化学的气相沉积设备在半导体基板表面沉积本征非晶硅层或掺杂非晶硅层，并进行退火处理；或者对制绒后的半导体基板采用管式等离子体增强化学的气相沉积设备在半导体基板表面沉积本征非晶硅层或沉积掺杂非晶硅层或直接通入氢气进行处理。目前等离子体增强化学的气相沉积法沉积本征非晶硅层或沉积掺杂非晶硅层都是氢化非晶硅，在沉积过程中必然有氢气参与。采用管式等离子体增强化学的气相沉积设备进行氢钝化、氧化处理时，因管式等离子体增强化学的气相沉积设备的工作温度通常为400-500℃因此无需再进行退火处理。

所述氢钝化工序中的退火处理，退火温度在400-500℃，退火时间20-30分钟。