[发明专利]一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置

权利要求书

1.一种长寿命有机发光二极管，其特征在于：是一种在发光层(14)两侧均设置过渡层的有机发光二极管，由ITO玻璃衬底(11)、一层沉积在ITO玻璃衬底(11)上的空穴注入层(12)、一层沉积在空穴注入层(12)上的空穴传输层(13)、一层沉积在空穴传输层(13)上的发光层(14)、一层在发光层(14)沉积在空穴传输层(13)过程中形成的第一过渡层(17)、一层沉积在发光层(14)上的电子传输层(15)、一层在电子传输层(15)沉积在发光层(14)过程中形成的第二过渡层(18)和一层沉积在电子传输层(15)的复合双阴极层(16)组成。

2.根据权利要求1所述的一种长寿命有机发光二极管，其特征在于：所述第一过渡层(17)为空穴传输层(13)的材料与发光层(14)的材料混合得到的过渡层，所述第二过渡层(18)为发光层(14)的材料与电子传输层(15)的材料混合形成的过渡层。

3.根据权利要求1所述的一种长寿命有机发光二极管，其特征在于：所述复合双阴极层(16)由Liq层和Al层组成，所述Liq层沉积在电子传输层(15)上，所述Al层沉积在Liq层上。

4.根据权利要求1所述的一种长寿命有机发光二极管，其特征在于：所述ITO玻璃衬底是表面镀有铟锡氧化物的玻璃，其ITO的厚度为150nm，所述空穴注入层(12)的厚度为5～10nm，优选10nm；

所述空穴传输层(13)的厚度为30～70nm，优选50nm；

所述第一过渡层(17)的厚度为10～20nm，优选15nm，其中空穴传输层材料和发光层材料的混合比例为1:1；

所述发光层(14)的厚度为15～30nm，优选20nm；

所述电子传输层(15)的厚度为30～60nm，优选40nm；

所述第二过渡层(18)的厚度10～20nm，优选15nm，其中电子传输层材料和发光层材料的混合比例为1:1；

所述Liq的厚度为2～4nm，优选3nm，Al金属阴极的厚度为60～200nm，优选100nm。

5.一种权利要求1～4中任一项所述的一种长寿命有机发光二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、利用标准化方法清洗干净ITO玻璃衬底(11)；

S2、利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ITO玻璃衬底(11)上沉积一层HAT-CN，形成空穴注入层(12)，其沉积速率为0.05nm/s；

S3、在S2的空穴注入层(12)上沉积一层HTL1，形成空穴传输层(13)，其沉积速率为0.2nm/s；

S4、利用双源共蒸的方法，在S3的空穴传输层(13)表面沉积一层BH1，形成发光层(14)，其中空穴传输层(13)材料的蒸发速率为0～0.2nm/s，发光材料的蒸发速率为0～0.2nm/s，在发光层(14)形成之前率先形成第一过渡层(17)；

S5、在S4的发光层(14)表面沉积一层ETL1，形成电子传输层(15)，其沉积速率为0.2nm/s，在电子传输层(15)形成之前率先形成第二过渡层(18)；

S7、在第七步的电子传输层表面沉积一层Liq和Al，形成复合双层阴极，其中Liq的沉积速率为0.05nm/s，Al的沉积速率为0.4nm/s。

6.根据权利要求5所述的一种长寿命有机发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S4的具体操作为：在空穴传输层(13)沉积结束时，同时开启预热好的发光层材料通道，此时空穴传输层(13)的速率自然下降，沉降速度由0.2nm/s自然降低为0，同时让发光层材料的沉积速率自然上升，待HTL1速率为零后，继续蒸镀一定厚度的发光层(14)。

7.根据权利要求5所述的一种长寿命有机发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S5的具体操作为：在发光层(14)的沉积结束时，打开预热好的电子传输层材料通道，此时发光层材料沉积速率自然下降，由0.2nm/s自然降低为0，同时让电子传输层材料沉积速率自然上升，待BH1速率为零时，继续蒸镀一定厚度的电子传输层(15)。