[发明专利]一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置

说明书

本发明公开了一种长寿命有机发光二极管，是一种在发光层两侧均设置过渡层的有机发光二极管，由ITO玻璃衬底、一层沉积在ITO玻璃衬底上的空穴注入层、一层沉积在空穴注入层上的空穴传输层、一层沉积在空穴传输层上的发光层、一层在发光层沉积在空穴传输层过程中形成的第一过渡层、一层沉积在发光层上的电子传输层、一层在电子传输层沉积在发光层过程中形成的第二过渡层和一层沉积在电子传输层的复合双阴极层组成。本发明通过在发光层两侧连续沉积有机混合层，有效抑制薄膜在沉积时吸附腔体杂质，同时，混合层还可以调节载流子平衡，调控发光层的激子分布，其激子分布范围更广，抑制激子‑激子湮灭，从而极大提高了器件的工作稳定性。

技术领域

本发明属于半导体电致发光技术领域，尤其涉及一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED)具有轻薄、柔性、节能等优点，目前已受到越来越多的关注，并被广泛用作手机、电脑、虚拟现实/增强现实(VR/AR)、车载导航等电子设备的显示屏。

然而，在实际应用中，由于蓝光组分的亮度衰减过快，照明或显示产品在使用过程中就会发生显色指数或色域变化。因而，长寿命的蓝光OLED一直是限制显示产品性能提升的瓶颈之一。

引发OLED老化的原因可分为外部和内部两方面因素。内部因素包括由激子-极化子湮灭效应引起的化学分解、分子团聚等和由载流子引起的热结晶、界面破坏等。外部原因主要包括器件制备过程中材料纯度、腔体真空度、腔体清洁度等方面以及器件完成后由于封装不当引起水汽和氧气侵蚀等因素。对蓝光 OLED而言，即使采用完好的封装及较低的驱动电流(即排除了外部诱因和载流子热效应)，其亮度仍衰减很快，表明激子诱导的退化才是造成其寿命极短的最主要原因。最近一些研究表明，OLED在制备过程中吸附的腔体杂质会加速器件老化，是OLED后期是否具有长寿命的关键因素之一。

发明内容

本发明目的在于提供一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置，其通过形成连续混合层，抑制了杂质引起的器件老化，从而极大地延长有机发光二极管的工作寿命。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种长寿命有机发光二极管，是一种在发光层两侧均设置过渡层的有机发光二极管，由ITO玻璃衬底、一层沉积在ITO玻璃衬底上的空穴注入层、一层沉积在空穴注入层上的空穴传输层、一层沉积在空穴传输层上的发光层、一层在发光层沉积在空穴传输层过程中形成的第一过渡层、一层沉积在发光层上的电子传输层、一层在电子传输层沉积在发光层过程中形成的第二过渡层和一层沉积在电子传输层的复合双阴极层组成。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

1.上述方案中，所述第一过渡层为空穴传输层的材料与发光层的材料混合得到的过渡层，所述第二过渡层为发光层的材料与电子传输层的材料混合形成的过渡层。

2.上述方案中，所述沉积在ITO玻璃衬底上的空穴注入层的材料为 HAT-CN，所述沉积在空穴注入层上的空穴传输层的材料为HTL1，沉积在空穴传输层上的发光层的材料为BH1，所述第一过渡层为HTL1和BH1的混合物，所述发光层上的电子传输层的材料为ETL1，所述第二过渡层为BH1和ETL1 的混合物。

3.上述方案中，所述复合双阴极层由Liq层和Al层组成，所述Liq层沉积在电子传输层上，所述Al层沉积在Liq层上。

4.上述方案中，所述ITO玻璃衬底是表面镀有铟锡氧化物的玻璃，其ITO 的厚度为150nm，所述空穴注入层的厚度为5～10nm，优选10nm；

所述空穴传输层的厚度为30～70nm，优选50nm；

所述第一过渡层的厚度为10～20nm，优选15nm，其中空穴传输层材料和发光层材料的混合比例为1:1；

所述发光层的厚度为15～30nm，优选20nm；