[发明专利]发光二极管及其制造工艺

权利要求书

1.一种发光二极管的制造工艺，其特征在于，所述发光二极管的制造工艺包括：

(1)于衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

(2)蚀刻所述外延层至露出所述衬底的部分上表面，以形成多个独立的外延结构，并形成围绕所述外延结构的切割道，其中，各所述外延结构具有四个侧壁，所述切割道包括横向切割道与纵向切割道，所述横向切割道与所述纵向切割道相互交叉，形成交叉区域；

(3)使用绝缘层覆盖所述切割道、所述外延结构的上表面以及所述外延结构的侧壁；

(4)对所述绝缘层进行蚀刻，形成位于所述交叉区域的第一缺口；以及

(5)沿着所述横向切割道与所述纵向切割道进行切割，得到发光二极管。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：所述第一缺口的形状可以为十字形、方形、多边形、圆形或者椭圆形。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：在所述步骤(4)形成所述第一缺口的同时，还于相邻二个所述外延结构的侧壁之间形成第二缺口，所述第二缺口位于所述切割道的非交叉区域上，位于所述交叉区域的第一缺口的宽度大于位于所述非交叉区域的第二缺口的宽度。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：在所述步骤(4)中的第一缺口是仅形成于所述交叉区域，位于所述切割道的非交叉区域上的绝缘层是完整保留的。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：所述绝缘层于所述第一缺口处具有一侧壁，所述第一缺口处的侧壁的底部与所述外延结构的侧壁具有一最小水平距离，所述最小水平距离的范围至少为4微米。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：通过步骤(2)形成围绕所述外延结构的切割道的同时，各所述外延结构的角向外延结构的中心处凹陷以形成凹槽。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的制造工艺，其特征在于：通过步骤(5)切割后，所述外延结构的四个侧壁周围的衬底的边缘与所述绝缘层的边缘对齐，所述第一缺口位于所述外延结构的相邻二个侧壁的连接处的周围。

8.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

衬底；

外延结构，设置在所述衬底的部分上表面，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延结构具有四个侧壁，相邻两个所述侧壁的连接部分形成角；以及

绝缘层，覆盖在所述外延结构的上方、所述外延结构的侧壁以及所述外延结构周围的衬底上，所述绝缘层具有第一缺口；

所述第一缺口位于所述衬底的上表面，且处于所述外延结构的至少一个所述角的周围。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一缺口的形状可以为“L”形、多边形或弧形。

10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一缺口仅位于所述外延结构的所述角的周围。

11.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述衬底俯视，所述绝缘层的第一缺口到所述外延结构的角的最小距离小于所述外延结构的侧壁到所述衬底边缘的最小距离。

12.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层于所述第一缺口处具有一侧壁，所述绝缘层的侧壁的底部与所述外延结构的角具有一最小水平距离，所述最小水平距离至少4微米。

13.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述衬底俯视，所述外延结构的角向外延结构的中心处凹陷以形成凹槽。