[发明专利]半导体器件收容装置的承托组件

说明书

本发明提供了一种半导体器件收容装置的承托组件，用于承托半导体器件收容装置，包括承托悬臂，连接承托悬臂的支撑组件及第一驱动装置；承托悬臂包括承托半导体器件收容装置的承托部、连接板及基板，承托部由水平插接的承托板与承托支架组成，半导体器件收容装置的底部形成暴露半导体器件的敞口，承托板设置位于敞口下方并可转动的旋转棍，旋转棍与半导体器件的边缘相接触，第一驱动装置通过动力传动件驱动旋转棍转动，以通过旋转棍对插入半导体器件收容装置中的半导体器件的边缘施加旋转力。本发明有效地解决了半导体器件与卡槽的内壁面接触的边缘处无法有效去除化学胶及杂质的技术问题，并实现了湿法蚀刻的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造设备技术领域，尤其涉及半导体器件收容装置的承托组件。

背景技术

半导体晶圆(如硅、锗、氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟等)或OLED玻璃基片等基板(Substrate)上通过反复执行匀胶、曝光、显影、蚀刻、镀膜，离子注入等半导体制程，最终在基板上形成半导体器件。半导体器件在半导体制程中需要反复执行清洗处理(Clean)，去除基板上残留的化学胶(例如PR胶)及杂质(Particle)。清洗工艺通常使用槽式清洗设备来完成，同时清洗设备也可用于晶圆的湿法蚀刻工艺。因此，清洗设备是半导体器件制造过程中的关键设备之一。

槽式清洗或者湿法蚀刻用半导体清洗设备中通常包含一个容置晶圆的晶圆盒或者晶圆花篮(Cassette)以及承托晶圆盒的承托装置，晶圆容置在晶圆盒中并整体浸没在清洗液(例如含有氢氟酸的BOE清洗液、去离子水、含有浓硫酸与双氧水的SPM清洗液等)中执行清洗作业，并在清洗或者湿法蚀刻结束后，通过晶圆盒转运机械手臂转移晶圆盒。然而，由于晶圆的侧边缘与晶圆盒的梳齿壁接触，从而导致被插入并卡持于晶圆盒(半导体器件收容装置的一种下位概念)的梳齿壁间的晶圆边缘侧面及晶圆边缘侧壁面处存在清洗效果不佳的缺陷。同时，由于化学胶(例如PR胶)及杂质(Particle)与构成晶圆微观结构的硅原子及其晶圆表面结合力较强，采用传统的晶圆盒浸没在清洗槽中执行清洗或者湿法蚀刻的效果不佳。最后，采用超声波发生器或者兆声波发生器对浸没在清洗液中的晶圆产生超声波或者兆声波清洗时，虽然能够乳化、震动晶圆表面的化学胶及杂质，但该现有技术需要对清洗液进行加热并配合特殊的清洗液，这不仅增加了晶圆的清洗成本，还会由于超声波或者兆声波破坏基于范德华力结合的金属薄膜与基板，并导致金属薄膜与基板之间发生剥离，从而可能对晶圆表面的微观器件造成潜在的破坏。

有鉴于此，有必要对现有技术中的半导体器件收容装置的承托组件予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于揭示一种半导体器件收容装置的承托组件，对垂直插入收容装置对向设置的多个卡槽中的半导体器件在清洗槽中执行清洗处理或者湿法蚀刻处理过程中，无法有效去除半导体器件与卡槽的内壁面接触的边缘处化学胶及杂质的技术问题予以解决，改善半导体器件的清洗及湿法蚀刻效果，同时避免清洗或者湿法蚀刻过程中采用超声波或者兆声波对半导体器件中形成的微观器件造成损伤及避免金属薄膜与基板之间发生剥离的不良现象。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件收容装置的承托组件，用于承托半导体器件收容装置，

包括：承托悬臂，连接承托悬臂的支撑组件及第一驱动装置；

所述承托悬臂包括：承托半导体器件收容装置的承托部、连接板及基板，所述承托部由水平插接的承托板与承托支架组成，所述半导体器件收容装置的底部形成暴露半导体器件的敞口，所述承托板设置位于所述敞口下方并可转动的旋转棍，所述旋转棍与半导体器件的边缘相接触，所述第一驱动装置通过动力传动件驱动所述旋转棍转动，以通过所述旋转棍对插入所述半导体器件收容装置中的半导体器件的边缘施加旋转力。

作为本发明的进一步改进，所述旋转棍沿其纵长延伸方向形成弧形表面，以通过所述弧形表面对插入所述半导体器件收容装置中的半导体器件的边缘施加旋转力。