[发明专利]一种圆晶切割方法在审
申请号: | 202111132819.X | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113871347A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 孙成思;孙日欣;陈健 | 申请(专利权)人: | 惠州佰维存储科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 刘晓燕 |
地址: | 516000 广东省惠州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切割 方法 | ||
1.一种圆晶切割方法,其特征在于,包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤,所述窄槽的深度等于钝化层的厚度,所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸;
以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽;
和在所述深槽将圆晶切透的步骤。
2.根据权利要求1所述圆晶切割方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在具有钝化层和切割道的圆晶表面涂布保护液;
S2、使用双条窄激光在所述切割道上切割两个厚度与钝化层厚度相同的窄槽;
S3、使用第一刀片在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽;
S4、使用第二刀片在所述深槽内继续切割至所述圆晶被切透。
3.根据权利要求2所述圆晶切割方法,其特征在于,所述第一刀片和第二刀片的宽度相同。
4.根据权利要求3所述圆晶切割方法,其特征在于,所述第一刀片和第二刀片的宽度为20~25μm。
5.根据权利要求4所述圆晶切割方法,其特征在于,位于两个所述窄槽之间钝化层的宽度小于等于20μm。
6.根据权利要求2至5任一项所述圆晶切割方法,其特征在于,在S3中,所述第一刀片在切割道中切割出深槽并将位于两个所述窄槽之间的钝化层剥离。
7.根据权利要求2所述圆晶切割方法,其特征在于,还包括在S2和S3之间清洗圆晶表面的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州佰维存储科技有限公司,未经惠州佰维存储科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111132819.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高稳定性的电机
- 下一篇:一种新的激光切割工艺技术
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造