[发明专利]一种圆晶切割方法在审

专利信息
申请号: 202111132819.X 申请日: 2021-09-27
公开(公告)号: CN113871347A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;陈健 申请(专利权)人: 惠州佰维存储科技有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 刘晓燕
地址: 516000 广东省惠州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 切割 方法
【权利要求书】:

1.一种圆晶切割方法,其特征在于,包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤,所述窄槽的深度等于钝化层的厚度,所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸;

以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽;

和在所述深槽将圆晶切透的步骤。

2.根据权利要求1所述圆晶切割方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、在具有钝化层和切割道的圆晶表面涂布保护液;

S2、使用双条窄激光在所述切割道上切割两个厚度与钝化层厚度相同的窄槽;

S3、使用第一刀片在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽;

S4、使用第二刀片在所述深槽内继续切割至所述圆晶被切透。

3.根据权利要求2所述圆晶切割方法,其特征在于,所述第一刀片和第二刀片的宽度相同。

4.根据权利要求3所述圆晶切割方法,其特征在于,所述第一刀片和第二刀片的宽度为20~25μm。

5.根据权利要求4所述圆晶切割方法,其特征在于,位于两个所述窄槽之间钝化层的宽度小于等于20μm。

6.根据权利要求2至5任一项所述圆晶切割方法,其特征在于,在S3中,所述第一刀片在切割道中切割出深槽并将位于两个所述窄槽之间的钝化层剥离。

7.根据权利要求2所述圆晶切割方法,其特征在于,还包括在S2和S3之间清洗圆晶表面的步骤。

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