[发明专利]一种圆晶切割方法

说明书

本发明属于圆晶封装技术领域，特别涉及一种圆晶切割方法，包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤，所述窄槽的深度等于钝化层的厚度，所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸；以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽；和在所述深槽将圆晶切透的步骤。本发明所提供的圆晶切割方法，可有效解决长江存储泰山圆晶切割钝化层剥离侧崩的问题。

技术领域

本发明属于圆晶封装技术领域，特别涉及一种圆晶切割方法。

背景技术

在晶圆切割工艺中，长江存储泰山wafer(此类型wafer仅刀片切割会造成钝化层剥离过保护线)，由于金属材料和钝化层材料之间存在巨大熔点差异，激光切割时使用常规能量不可使金属材料去除，但若使用较大能量，金属材料和钝化层材料虽然可以都被去除，但却会造成钝化层剥离过芯片保护线，造成芯片报废。但若采用激光DN模式则金属未被切透；若采用能量较大的DW模式，由于金属导热性较好，容易蔓延并烧伤芯片的有效电路层，且钝化层易剥离过保护线，但若采用能量较小的DW模式，金属未被切透且残留大量熔渣，对下一步骤的刀片切割造成影响。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本发明所要解决的技术问题是：解决长江存储泰山圆晶切割钝化层剥离侧崩的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种圆晶切割方法，包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤，所述窄槽的深度等于钝化层的厚度，所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸；

以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽；

和在所述深槽将圆晶切透的步骤。

本发明的有益效果在于：首先通过双条窄激光在切割道的两侧分别切出两个窄槽，并使两个窄槽的槽深等于钝化层的厚度，以使两个窄槽之间的钝化层部分独立于其他的钝化层部分；然后在两个窄槽之间的钝化层部分进行切割至形成圆晶厚度3/5的深槽，最后继续在深槽内进行切割，以实现晶粒的分离。通过两个窄槽将位于两个窄槽之间的钝化层部分与其他的钝化层部分相互分离，以及在位于窄槽之间的钝化层部分进行分段式切割，以避免在实际的切割过程中，由于切割位置的钝化层与其他位置的钝化层是相互连接的，使得晶粒边缘产生应力损伤，从而导致晶粒边缘侧崩的问题。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。

一种圆晶切割方法，包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤，所述窄槽的深度等于钝化层的厚度，所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸；

以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽；

和在所述深槽将圆晶切透的步骤。

具体的，所述圆晶切割方法包括如下步骤：

S1、在具有钝化层和切割道的圆晶表面涂布保护液；

S2、使用双条窄激光在所述切割道上切割两个厚度与钝化层厚度相同的窄槽；

S3、使用第一刀片在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽；

S4、使用第二刀片在所述深槽内继续切割至所述圆晶被切透。

其中，在圆晶表面涂布保护液，以在激光切割时保护圆晶表面。

可选的，所述保护液选自新加坡KETECA LC128-C、希宏世HS-201-D、DISCOHogoMax103或其它任意一种圆晶切割保护液。

进一步的，所述第一刀片和第二刀片的宽度相同。

进一步的，所述第一刀片和第二刀片的宽度为20～25μm。