[发明专利]一种祛痘抑瘢面膜及其制备方法

权利要求书

1.一种祛痘抑瘢面膜，其特征在于，所述面膜组分包括明胶、Cu-BTC/ASON纳米材料、维A酸。

2.根据权利要求1所述面膜，其特征在于，所述Cu-BTC/ASON纳米材料为热休克蛋白和金属有机框架材料Cu-BTC进行自组装获得。

3.一种祛痘抑瘢面膜的制备方法，包括：

将明胶加入溶剂中，搅拌，然后加入Cu-BTC/ASON纳米材料和维A酸，得到混合溶液，静电纺丝，得到祛痘抑瘢面膜。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述溶剂为六氟异丙醇；明胶加入溶剂中后的质量百分浓度为6-10％；混合溶液中Cu-BTC/ASON纳米材料的质量百分含量为0.01-0.2％，维A酸的质量百分含量为0.001-0.1％。

5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述Cu-BTC/ASON纳米材料具体为：将热休克蛋白HSP47反义寡核苷酸5’-CATGGCTGGGAGGTG-3’磷酸化处理，并与铜为中心的金属有机框架材料Cu-BTC溶液混合，进行自组装，得到Cu-BTC/ASON纳米材料。

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述热休克蛋白HSP47反义寡核苷酸和铜为中心的金属有机框架材料Cu-BTC的摩尔比为10⁴：2～10⁵：2。

7.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述铜为中心的金属有机框架材料Cu-BTC具体为：铜离子溶液中加入有机配体和表面活性剂，制备得到以铜为中心的金属有机框架材料Cu-BTC。

8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述铜离子溶液的质量百分浓度为5-15％，铜离子溶液为氯化铜、硝酸铜或乙酸铜溶液；所述有机配体为均苯三甲酸；表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP；所述有机配体加入后的质量百分浓度为2-15％。

9.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述静电纺丝工艺参数为：电压为10-20KV、溶液流速为10-50μL/min、接收距离为15-25cm，温度为25℃。