[发明专利]一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202111137568.4 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113979765B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 钟启龙;朱忠铜;李若普;朱萱哲;李哲宇 | 申请(专利权)人: | 武汉拓普准晶新材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/65;C04B35/81;C04B38/00 |
代理公司: | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人: | 王佩 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:将粉石英矿和碳粉按一定质量比混合球磨;
S2:将混合料压制成型后放置在石墨推舟中;
S3:将石墨推舟放置进1850~2000℃连续作业恒温碳管炉中加热4小时后生成碳化硅晶须;
S4:将所述碳化硅晶须与短切碳纤维和单质硅,以无水乙醇为球磨介质,进行湿混球磨;
S5:将球磨后的浆料完全烘干得粉料;
S6:将粉料过筛后备用;
S7:将过筛后的粉料进行加热挤压成型材,压制成产品生胚;
S8:将产品生胚放入高温真空热等静压机中,逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅,保温3小时,得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S1中,粉石英矿和碳粉的质量比为3:2。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S4中,还包括粘结剂,碳化硅晶须: 短切碳纤维: 单质硅: 粘结剂的质量比为17:1~2:1~2:0~1。
4.如权利要求3所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S4中,粘结剂包括无水乙醇和树脂。
5.如权利要求4所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:所述树脂包括酚醛树脂、环氧树脂和聚氨酯树脂中的至少一种。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S4中,球磨采用的磨球和球磨罐均采用SiC材质,球料比为3:2,无水乙醇刚淹没粉末和球,总量不超过球磨罐的2/3体积,采用行星式球磨机,转速200rpm,球磨时间4小时。
7.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S5中,浆料放置在鼓风干燥箱中,加热并保持在60℃直至完全烘干。
8.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S6中,将粉体进行100目过筛。
9.如权利要求1所述的一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤S7中,加热挤压的压力为15~20Mpa。
10.一种采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备的碳化硅多孔陶瓷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉拓普准晶新材料有限公司,未经武汉拓普准晶新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111137568.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。