[发明专利]一种降低管式PERC电池划伤的工艺在审
申请号: | 202111137732.1 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113838948A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 朱海荣;彭平;陈庆发;郭飞;陈磊;夏中高;李旭杰 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/34 |
代理公司: | 郑州隆盛专利代理事务所(普通合伙) 41143 | 代理人: | 刘爽 |
地址: | 461000 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 perc 电池 划伤 工艺 | ||
本发明涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及一种降低管式PERC电池划伤的工艺,包括以下步骤:开始、充氮、放舟、升温、预抽、主抽、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积、抽真空、清洗、恒温一、恒温二、充氮一、取舟、结束,利用此工艺无需设备改造与新增投入以及石墨舟改造,在原有镀背面氮化硅膜的管式PECVD设备上,通过调整抽空步压力及抽速,工艺温度、出舟前充氮步增加两步恒温,即为了缓慢回压,即可解决管式PECVD机台EL划伤比例偏高的问题;与现有工艺相比,本发明产生的EL划伤比例降低一半左右,可积极推动PERC电池的技术创新和规模化生产,具有较好的经济效益和社会效益。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及一种降低管式PERC电池划伤的工艺。
背景技术
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)技术,即钝化发射极和背面电池,利用Al2O3等钝化材料对电池背面进行钝化,可以有效降低背表面复合,提高开路电压(Voc),增加背表面反射,提高短路电流(Isc),从而提升电池转换效率。双面PERC保持原先单面PERC的高转换效率,同时背面也可以发电,将双面PERC电池封装成双面双玻发电组件可显著地降低了光伏系统的度电成本,再次提升了PERC电池的竞争力。相对于常规电池,PERC电池仅增加两步工艺过程:背面沉积钝化膜和背面开槽,背面钝化膜的制备是PERC电池的核心工艺步骤。氧化铝(Al2O3)由于具备较高的电荷密度,可以对P型表面提供良好的钝化,目前被广泛应用于PERC电池量产的背面钝化材料。为了完全满足背面钝化条件,还需要在氧化铝表面覆一层氮化硅(SiNx)膜,以保护背部钝化膜并保证电池背面的光学性能,故PERC电池背面钝化多采Al2O3/SiNx双层结构。背钝化方面目前有PECVD和ALD(原子层沉积)两种技术路线,ALD因TMA耗量少、钝化质量高的优势在市场中占有较大份额,但需搭配PECVD设备同时使用,氧化铝和氮化硅需要分别沉积,在使用管式PECVD设备制备背面氮化硅膜的制程中,硅片通过三个卡点固定在石墨舟片上,硅片正面与石墨舟片接触,在抽真空、升温、充氮回常压工艺过程硅片因炉管内气压及热量变化会收缩或膨胀,硅片会与石墨舟片发生摩擦,硅片正面挨着石墨舟片导致产生划伤,严重影响产线良率。
发明内容
本发明的目的在于无需进行设备及石墨舟的改造,提供一种降低管式PERC电池划伤的工艺以提升电池生产的良率。
本发明是通过以下技术方案实现的:一种降低管式PERC电池划伤的工艺,包括以下步骤:开始、充氮、放舟、升温、预抽、主抽、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积、抽真空、清洗、恒温一、恒温二、充氮一、取舟、结束。
进一步地,所述开始、充氮、放舟、取舟和结束步骤的温度设定为490℃。
进一步地,所述升温、预抽、主抽、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积、抽真空、清洗、恒温一、恒温二和充氮一步骤的温度设定为450℃。
进一步地,所述预抽步骤的设定底压为60pa,时间为250s。
进一步地,所述主抽步骤的设定底压为0Pa,时间为40s。
进一步地,所述清洗步骤的氮气流量为10000sccm。
进一步地,所述恒温一步骤为:打开氮气恒流阀,氮气流量设定为5000sccm,压力为1200pa,时间为30s。
进一步地,所述恒温二步骤为:打开氮气恒流阀,氮气流量设定为30000sccm,压力为35000pa,时间为90s。
进一步地,所述充氮一的氮气流量设定为15000sccm,压力为常压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的