[发明专利]一种提高锡基钙钛矿晶体生长质量的方法及太阳能电池器件

权利要求书

1.一种提高锡基钙钛矿晶体生长质量的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤一、低温预处理，将制备的锡基钙钛矿薄膜于制冷台上静置20～30min，所述制冷台的温度为0～5℃；

步骤二、退火成膜，将步骤一处理后的锡基钙钛矿薄膜移动至加热台上静置，获得晶粒尺寸变大、结晶性能提高的锡基钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的提高锡基钙钛矿晶体生长质量的方法，其特征在于，所述加热台的温度为70～100℃，静置时间为20～30min。

3.根据权利要求1所述的提高锡基钙钛矿晶体生长质量的方法，其特征在于，所述锡基钙钛矿薄膜的材料为甲胺锡碘、甲脒锡碘、甲胺锡碘溴、铯锡碘或者铯锡碘溴。

4.根据权利要求1所述的提高锡基钙钛矿晶体生长质量的方法，其特征在于，制备所述锡基钙钛矿薄膜的方法可采用旋涂、喷涂、浸泡、刮涂或辊涂工艺中的任一种工艺。

5.一种太阳能电池器件，包括依次叠加的基片、阳极层、空穴传输层、钙钛矿薄膜层、电子传输层、空穴阻挡层和阴极层，其特征在于，所述钙钛矿薄膜层采用如权利要求1所述的方法制备；所述阳极层厚度为80～120nm，空穴传输层厚度为25～40nm，电子传输层厚度为60～90nm，空穴阻挡层厚度为3～10nm，阴极层厚度为80～200nm。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池器件，其特征在于，所述基片采用柔性基片，所述柔性基片为聚酯或聚酞亚胺类化合物。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池器件，其特征在于，所述阳极层采用无机材料或有机导电聚合物；所述无机材料为氧化铟锡、氧化锌或氧化锡中的一种金属氧化物或为金、铜、银或锌中的一种金属；所述有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基本苯磺酸钠或聚苯胺。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为：聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、氧化镍或硫氰酸铜。

9.根据权利要求5所述的太阳能电池器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为富勒烯或富勒烯衍生物。

10.根据权利要求5所述的太阳能电池器件，其特征在于，所述阴极层的材料为金属或氟化物与金属复合电极，所述金属选自金、银或铝；复合电极是氟化锂与金属银或铝复合。