[发明专利]晶圆处理装置及方法在审
申请号: | 202111140215.X | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113871325A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 胡俊;王建东 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李莎 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种晶圆处理装置,其特征在于,包括:
液体槽,容纳由清洗液和干燥液构成的混合液,用于浸泡晶圆;
干燥槽,具有腔室以及与所述腔室相连通的进气孔;
所述腔室用于容纳浸泡后的所述晶圆;
所述进气孔用于向所述腔室传输汽化干燥液,以对所述腔室中的所述晶圆进行干燥。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上,所述混合液中的所述干燥液的浓度逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述晶圆处理装置还包括:
第一进液孔,用于向所述液体槽传输所述清洗液;
至少一个第二进液孔,用于向所述液体槽传输所述干燥液;
所述第一进液孔和所述第二进液孔在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上依次分布。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置,其特征在于,在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上,所述第二进液孔的传输流量逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述晶圆处理装置还包括:
加热装置,位于所述干燥槽的侧壁,用于对所述腔室进行加热。
6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述进气孔还用于向所述腔室传输载气;
所述干燥槽还具有排气孔,所述排气孔用于在所述晶圆干燥后,通过所述载气将所述汽化干燥液排出所述腔室。
7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述清洗液为去离子水,所述干燥液为异丙醇。
8.一种晶圆处理方法,其特征在于,所述方法包括:
将晶圆浸泡在由清洗液和干燥液构成的混合液中;
将浸泡后的所述晶圆取出至腔室;
通过汽化干燥液对所述腔室中的所述晶圆进行干燥。
9.根据权利要求8所述的晶圆处理方法,其特征在于,在所述晶圆的取出方向上,所述混合液中的所述干燥液的浓度逐渐增大。
10.根据权利要求8所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述将晶圆浸泡在由清洗液和干燥液构成的混合液中的步骤,包括:
将所述晶圆浸泡在所述清洗液中;
向所述清洗液中输入所述清洗液和所述干燥液,使所述晶圆浸泡在由所述清洗液和所述干燥液构成的所述混合液中。
11.根据权利要求10所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述清洗液的输入位置和所述干燥液的输入位置在所述晶圆的取出方向上依次分布。
12.根据权利要求8所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述方法还包括:
在对所述晶圆进行干燥的过程中,对所述腔室进行加热。
13.根据权利要求8所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述晶圆干燥后,通过载气将所述腔室中的汽化干燥液排出。
14.根据权利要求8所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述清洗液为去离子水,所述干燥液为异丙醇。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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