[发明专利]晶圆处理装置及方法

说明书

本发明公开了一种晶圆处理装置及方法。所述晶圆处理装置包括：液体槽，容纳由清洗液和干燥液构成的混合液，用于浸泡晶圆；干燥槽，具有腔室以及与所述腔室相连通的进气孔；所述腔室用于容纳浸泡后的所述晶圆；所述进气孔用于向所述腔室传输汽化干燥液，以对所述腔室中的所述晶圆进行干燥。本发明能够避免晶圆干燥过程中结构被破坏，提高晶圆的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置及方法。

背景技术

在晶圆的工艺制程中，对晶圆中的膜层进行刻蚀后，需采用清洗液对晶圆进行清洗，再采用干燥剂去除晶圆表面残留的清洗液。

但是，晶圆中存在大量精细的纳米片层结构10，而干燥剂和清洗液对晶圆的表面张力差异较大，容易在干燥过程中产生由应力差造成的纳米片层结构10弯曲(bending)，甚至使需要间隔设置的纳米片层结构10相连，如图1所示，从而破坏晶圆结构，影响晶圆性能。

发明内容

本发明提供一种晶圆处理装置及方法，能够避免晶圆干燥过程中结构被破坏，提高晶圆的性能。

本发明提供了一种晶圆处理装置，包括：

液体槽，容纳由清洗液和干燥液构成的混合液，用于浸泡晶圆；

干燥槽，具有腔室以及与所述腔室相连通的进气孔；

所述腔室用于容纳浸泡后的所述晶圆；

所述进气孔用于向所述腔室传输汽化干燥液，以对所述腔室中的所述晶圆进行干燥。

进一步优选地，在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上，所述混合液中的所述干燥液的浓度逐渐增大。

进一步优选地，所述晶圆处理装置还包括：

第一进液孔，用于向所述液体槽传输所述清洗液；

至少一个第二进液孔，用于向所述液体槽传输所述干燥液；

所述第一进液孔和所述第二进液孔在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上依次分布。

进一步优选地，在所述液体槽的底部朝向顶部的方向上，所述第二进液孔的传输流量逐渐增大。

进一步优选地，所述晶圆处理装置还包括：

加热装置，位于所述干燥槽的侧壁，用于对所述腔室进行加热。

进一步优选地，所述进气孔还用于向所述腔室传输载气；

所述干燥槽还具有排气孔，所述排气孔用于在所述晶圆干燥后，通过所述载气将所述汽化干燥液排出所述腔室。

进一步优选地，所述清洗液为去离子水，所述干燥液为异丙醇。

本申请还提供一种晶圆处理方法，所述方法包括：

将晶圆浸泡在由清洗液和干燥液构成的混合液中；

将浸泡后的所述晶圆取出至腔室；

通过汽化干燥液对所述腔室中的所述晶圆进行干燥。

进一步优选地，在所述晶圆的取出方向上，所述混合液中的所述干燥液的浓度逐渐增大。

进一步优选地，所述将晶圆浸泡在由清洗液和干燥液构成的混合液中的步骤，包括：

将所述晶圆浸泡在所述清洗液中；

向所述清洗液中输入所述清洗液和所述干燥液，使所述晶圆浸泡在由所述清洗液和所述干燥液构成的所述混合液中。

进一步优选地，所述清洗液的输入位置和所述干燥液的输入位置在所述晶圆的取出方向上依次分布。