[发明专利]内串联式异质结电池及其制作方法

权利要求书

1.一种内串联式异质结电池，其特征在于，包括：

N型单晶硅，沉积于所述N型单晶硅的第一面的第一本征非晶硅钝化层、第一非晶硅层和多个第一透明导电层，以及沉积于所述N型单晶硅的第二面的第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层和第二透明导电层；

所述第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，所述第二非晶硅层包括与所述第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与所述第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层中的至少一者有多个，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层在所述N型单晶硅的纵向间隔交错分布，多个所述第一透明导电层在所述N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意所述第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻所述第一N型非晶硅层电连接，多个所述第二透明导电层在所述N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意所述第二N型非晶硅层与第二侧的相邻所述第二P型非晶硅层电连接，所述第一侧的朝向与所述第二侧的朝向相反；

所述内串联式异质结电池还包括沉积于所述第一本征非晶硅钝化层的第一面的第三本征非晶硅钝化层和沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第二面的第四本征非晶硅钝化层，所述第三本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层之间的第一间隔部，所述第四本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层之间的第二间隔部。

2.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，所述第三本征非晶硅钝化层的数量与所述第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应，所述第一P型非晶硅层的相邻所述第一N型非晶硅层的数量等于相应所述第三本征非晶硅钝化层上所述第一间隔部的数量，所述第四本征非晶硅钝化层的数量与所述第二P型非晶硅层的数量相等并一一对应，所述第二P型非晶硅层的相邻所述第二N型非晶硅层的数量等于相应所述第三本征非晶硅钝化层上所述第二间隔部的数量。

3.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，所述第一P型非晶硅层、所述第一N型非晶硅层和所述第一间隔部中每一者的第一面共面，所述第二P型非晶硅层、所述第二N型非晶硅层和所述第二间隔部中每一者的第二面共面。

4.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层在所述N型单晶硅的纵向等间隔分布，所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层在所述N型单晶硅的纵向等间隔分布，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层之间的间距与所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层之间的间距相等。

5.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层的数量相等。

6.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，每个所述第一透明导电层的第一面设有第一金属栅线，每个所述第二透明导电层的第二面设有第二金属栅线。

7.根据权利要求1所述的内串联式异质结电池，其特征在于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均为纳米银线透明导电层。

8.一种内串联式异质结电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在N型单晶硅的第一面和第二面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层；

在第一本征非晶硅钝化层的第一面和第二本征非晶硅钝化层的第二面沉积P型非晶硅层；

在N型单晶硅的第一面和第二面设置第一掩模板，对两个P型非晶硅层进行蚀刻，以分别成型第一P型非晶硅层和第二P型非晶硅层；

在蚀刻处分别沉积成型第三本征非晶硅钝化层和第四本征非晶硅钝化层；

在第三本征非晶硅钝化层的第一面和第四本征非晶硅钝化层的第二面上分别沉积成型第一N型非晶硅层和第二N型非晶硅层；

移除第一掩模板，在N型单晶硅的第一面和第二面设置第二掩模板，并分别沉积成型第一透明导电层和第二透明导电层；

在第一透明导电层的第一面和第二透明导电层的第二面分别成型第一金属栅线和第二金属栅线。