[发明专利]内串联式异质结电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法，内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。

技术领域

本发明涉及异质结电池技术领域，具体涉及一种内串联式异质结电池及其制作方法。

背景技术

异质结电池作为最具潜力的下一代硅基电池之一，拥有理论能量转换效率高、电池制备无需高温环境、电池双面性极佳和所需晶硅材料少等优点。然而相关技术中的异质结电池在制作和使用过程中仍然存在且不仅限于以下缺陷：异质结电池表面覆盖的透明导电膜层电阻率较高，影响异质结电池的效率；在制作异质结电池时，异质结电池的透明导电层会被高温破坏，导致对其切割工艺难度较大，切割处对电池切口附近薄膜损伤较大，影响异质结半片或叠片组件的加工成本和CTM（Cell To Module，组件输出功率和电池片功率总和百分比）率。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的实施例提出一种内串联式异质结电池，该内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。

本发明的实施例还提出一种内串联式异质结电池的制作方法。

根据本发明实施例的内串联式异质结电池包括N型单晶硅，沉积于所述N型单晶硅的第一面的第一本征非晶硅钝化层、第一非晶硅层和多个第一透明导电层，以及沉积于所述N型单晶硅的第二面的第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层和第二透明导电层；所述第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，所述第二非晶硅层包括与所述第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与所述第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层中的至少一者有多个，所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层在所述N型单晶硅的纵向间隔交错分布，多个所述第一透明导电层在所述N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意所述第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻所述第一N型非晶硅层电连接，多个所述第二透明导电层在所述N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意所述第二N型非晶硅层与第二侧的相邻所述第二P型非晶硅层电连接，所述第一侧的朝向与所述第二侧的朝向相反。

根据本发明实施例的内串联式异质结电池，第一P型非晶硅层和相应第二N型费晶硅层能够构成具有一定电压的第一电池节，第一N型非晶硅层和相应第二P型非晶硅层能够构成具有一定电压的第二电池节，第一透明导电层和第二透明导电层将第一电池节和第二电池节串联。由此使得根据本发明实施例的内串联式异质结电池的开路电压上升，短路电流下降，由其构成的光伏组件的封装更容易，封装工序更少。而且，相比于相关技术中的光伏组件，由根据本发明实施例的内串联式异质结电池封装成型的同样尺寸的光伏组件所需连接点的数量更少，由此电阻更小，在相同光照条件下，其电阻带来的功率损失更小，能量转换效率更高。

在一些实施例中，所述内串联式异质结电池还包括沉积于所述第一本征非晶硅钝化层的第一面的第三本征非晶硅钝化层和沉积于所述第二本征非晶硅钝化层的第二面的第四本征非晶硅钝化层，所述第三本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第一P型非晶硅层和所述第一N型非晶硅层之间的第一间隔部，所述第四本征非晶硅钝化层包括位于任意相邻所述第二P型非晶硅层和所述第二N型非晶硅层之间的第二间隔部。