[发明专利]一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法

权利要求书

1.一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：包括制备箱(1)，所述制备箱(1)内开设三组腔室，包括预热腔(11)、加热腔(12)和制备腔(13)，所述预热腔(11)内壁与送料装置(2)的安装端连接，加热腔(12)内安装有与送料装置(2)送料端对接的输料装置(3)，且输料装置(3)的输出端和输入端穿透设置在三个腔室内，所述加热腔(12)内壁上安装有与输料装置(3)输料面对应的加热装置(4)，所述制备腔(13)内安装有与输料装置(3)输料端对应的喷涂装置(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述送料装置(2)包括滑轨(21)、移动座(22)、侧接板(23)、上接气缸(24)、侧接气缸(25)、连接板(26)和夹持组件(27)，滑轨(21)固定在预热腔(11)的侧壁上，滑轨(21)上套接移动座(22)，移动座(22)的侧壁上连接有用于上接气缸(24)固定在侧接板(23)，上接气缸(24)的输出端与侧接气缸(25)安装面连接，侧接气缸(25)的输出端通过连接板(26)与夹持组件(27)连接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述滑轨(21)外表面开设有齿槽(211)，移动座(22)内设置齿轮(221)，移动座(22)的上端安装有与齿轮(221)套接的移动电机(222)，齿轮(221)套接在移动电机(222)的输出轴杆上，且齿轮(221)与滑轨(21)外表面的齿槽(211)啮合。

4.根据权利要求3所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述夹持组件(27)包括左夹板(271)、右夹板(272)、左夹持气缸(273)和右夹持气缸(274)，左夹板(271)和右夹板(272)的两侧的上角处分别由左夹持气缸(273)和右夹持气缸(274)的输出杆进行连接。

5.根据权利要求4所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述输料装置(3)包括放置板(31)、侧接杆(32)、活动座板(33)、丝杠杆(34)、输料电机(35)和导向杆(36)，放置板(31)的两侧均安装有侧接杆(32)，两组侧接杆(32)的尾端均安装活动座板(33)，两个活动座板(33)分别套接设置在丝杠杆(34)和导向杆(36)上，丝杠杆(34)尾端与输料电机(35)输出端连接。

6.根据权利要求5所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述加热装置(4)包括控制器(41)、测温器(42)、下压气缸(43)、安装环板(44)和热压板(45)，控制器(41)与测温器(42)以及安装在安装环板(44)内的加热电路板电连接，安装环板(44)的上方与下压气缸(43)的输出杆连接，安装环板(44)的下方通过支杆与热压板(45)连接，测温器(42)安装在热压板(45)上，热压板(45)内环形分布有电热环(451)，电热环(451)与加热电路板电连接。

7.根据权利要求6所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备，其特征在于：所述喷涂装置(5)包括原料筒(51)、搅拌器(52)、混合座(53)、喷板(54)、内转组件(55)和加压泵(56)，原料筒(51)安装在制备箱(1)的上方，原料筒(51)内竖向穿透设置有搅拌器(52)，加压泵(56)固定在原料筒(51)侧端的制备箱(1)上方，加压泵(56)的输出气管和原料筒(51)的出料管均与混合座(53)的内腔互通，混合座(53)设置在制备腔(13)内，混合座(53)的下方设置有喷板(54)，喷板(54)的外端面与内转组件(55)的输出端对接，喷板(54)的下方设置有雾化喷嘴(541)。