[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其包括：

栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括沿第一方向并列设置且直接接触的核心区和台阶区；

虚拟分隔结构，在所述第一方向贯穿所述台阶区；

栅极分隔结构，在所述第一方向贯穿所述核心区，所述栅极分隔结构具有在所述第一方向与所述虚拟分隔结构相接触的第一端部，所述虚拟分隔结构具有在所述第一方向与所述栅极分隔结构相接触的第二端部，且所述第一端部位于所述第二端部内。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述第二端部包括两个夹持子部，所述第一端部在垂直于所述第一方向的第二方向上位于两个所述夹持子部之间，且与两个所述夹持子部直接接触。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，所述夹持子部在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度，沿所述第一方向从所述台阶区向所述核心区的方向逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的三维存储器，其中，所述第二端部还包括连接子部，所述连接子部与两个所述夹持子部相连接。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其中，所述连接子部与所述第一端部直接接触。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述虚拟分隔结构还包括与所述第二端部并列布置且直接接触的第二延伸部。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其中，所述第二延伸部沿所述第一方向延伸。

8.根据权利要求6所述的三维存储器，其中，所述第二端部在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度大于所述第二延伸部在所述第二方向上的宽度。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，所述第二端部在所述第二方向上的宽度，沿所述第一方向从所述台阶区向所述核心区的方向逐渐增大。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，所述第二端部在所述第二方向上的宽度，沿所述第一方向从所述台阶区向所述核心区的方向先逐渐增大再逐渐减小。

11.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述虚拟分隔结构的材质为绝缘材料。

12.根据权利要求1-11任一项所述的三维存储器，其中，所述栅极分隔结构还包括与所述第一端部并列布置且直接接触的第一延伸部，且所述第一端部的四周被所述第一延伸部和所述第二端部共同包围。

13.根据权利要求12所述的三维存储器，其中，所述第一延伸部沿所述第一方向延伸。

14.根据权利要求12所述的三维存储器，其中，所述第一端部至少有一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度大于所述第一延伸部在所述第二方向上的宽度。

15.根据权利要求14所述的三维存储器，其中，所述第一端部在所述第二方向上的宽度，沿所述第一方向从所述核心区向所述台阶区的方向逐渐增大。

16.根据权利要求14所述的三维存储器，其中，所述第一端部在所述第二方向上的宽度，沿所述第一方向从所述核心区向所述台阶区的方向先逐渐增大再逐渐减小。

17.根据权利要求1-11任一项所述的三维存储器，其中，所述第一端部沿所述第一方向延伸至所述台阶区内。

18.根据权利要求1-11任一项所述的三维存储器，其中，所述第一端部在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大宽度不大于所述第二端部在所述第二方向上的最小宽度。