[发明专利]三维存储器及其制作方法

说明书

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括：衬底；位于衬底上的栅极堆叠结构，划分为沿平行于衬底的第一横向依次设置的核心区和台阶区；虚拟分隔结构，垂直于衬底并在第一横向贯穿台阶区，以将台阶区划分为多个块台阶区；栅极分隔结构，垂直于衬底并在虚拟分隔结构的假想延伸线上沿第一横向贯穿核心区，以将核心区划分为多个块核心区，栅极分隔结构具有在第一横向与虚拟分隔结构相接触的第一侧端部，虚拟分隔结构具有在第一横向与栅极分隔结构相接触的第二侧端部，第一侧端部被包围在第二侧端部内，或第二侧端部被包围在第一侧端部内，从而避免了在利用栅极分隔结构分隔台阶区时栅极分隔结构易在台阶区发生变形甚至断裂的问题。

【技术领域】

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种三维存储器及其制作方法。

【背景技术】

随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3D NAND(三维与非门)存储器由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的三维存储器技术。

3D NAND存储器通常会包括一个或多个片存储区。在片存储区的至少一侧通常会设置有用于引出栅极的台阶区。台阶区具有阶梯形状。片存储区和台阶区通常会分割成多个区块，以得到多个块存储区。

但是，现有的3D NAND存储器是利用栅线隔槽(或称栅极分隔结构)来分隔区块的，由于台阶区的应力作用，位于台阶区中的栅线隔槽易发生变形，甚者断裂，进而影响3DNAND存储器的性能。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制作方法，以避免栅线隔槽在台阶区发生变形，进而提高三维存储器的性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种三维存储器，该三维存储器包括：栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括沿第一方向并列设置且直接接触的核心区和台阶区；虚拟分隔结构，在第一方向贯穿台阶区；栅极分隔结构，在第一方向贯穿核心区，栅极分隔结构具有在第一方向与虚拟分隔结构相接触的第一端部，虚拟分隔结构具有在第一方向与栅极分隔结构相接触的第二端部，且第一端部位于第二端部内。

其中，第二端部包括两个夹持子部，第一端部在垂直于第一方向的第二方向上位于两个夹持子部之间，且与两个夹持子部直接接触。

其中，夹持子部在垂直于第一方向的第二方向上的宽度，沿第一方向从台阶区向核心区的方向逐渐增大。

其中，第二端部还包括连接子部，连接子部与两个夹持子部相连接。

其中，连接子部与第一端部直接接触。

其中，虚拟分隔结构还包括与第二端部并列布置且直接接触的第二延伸部。

其中，第二延伸部沿第一方向延伸。

其中，第二端部在垂直于第一方向的第二方向上的宽度大于第二延伸部在第二方向上的宽度。

其中，第二端部在第二方向上的宽度，沿第一方向从台阶区向核心区的方向逐渐增大。

其中，第二端部在第二方向上的宽度，沿第一方向从台阶区向核心区的方向先逐渐增大再逐渐减小。

其中，虚拟分隔结构的材质为绝缘材料。

其中，栅极分隔结构还包括与第一端部并列布置且直接接触的第一延伸部，且第一端部的四周被第一延伸部和第二端部共同包围。

其中，第一延伸部沿第一方向延伸。

其中，第一端部至少有一部分在垂直于第一方向的第二方向上的宽度大于第一延伸部在第二方向上的宽度。

其中，第一端部在第二方向上的宽度，沿第一方向从核心区向台阶区的方向逐渐增大。