[发明专利]具有经改进命令/地址总线利用的存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器阵列，其包含多个存储器存储体；

多个外部命令/地址端子，其经配置以接收命令作为对应多个命令/地址位，其中所述多个命令/地址位的第一组命令/地址位指示读取或写入操作且所述多个命令/地址位的第二组命令/地址位指示是否执行刷新操作；及

命令解码器，其经配置以通过监测所述多个命令/地址位对所述命令进行解码，

其中所述存储器装置经配置以响应于所述命令的所述第一组命令/地址位对所述存储器阵列的一部分执行所述读取或写入操作，且

其中所述存储器装置经配置以响应于所述命令的所述第二组命令/地址位在所述第二组命令/地址位指示应执行所述刷新命令时执行刷新操作以刷新所述多个存储器存储体中的至少一个存储器存储体。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以在执行所述读取或写入操作之后执行所述刷新操作。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二组命令/地址位指示所述存储器装置在所述第二组命令/地址位中的命令/地址位被断言时在执行所述读取或写入操作之后执行刷新操作。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二组命令/地址位指示所述存储器装置在所述第二组命令/地址位中的命令/地址位未被断言时在执行所述读取或写入操作之后执行刷新操作。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述读取或写入操作是读取操作、读取操作及预充电操作、写入操作、或写入操作及预充电操作。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述刷新操作是刷新单个存储体操作、刷新所有存储体操作或精细粒度刷新操作。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述第二组命令/地址位指示应执行所述刷新操作时，所述存储器装置经配置以在执行所述读取或写入操作之后但在执行所述刷新操作之前执行预充电操作。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置是单个存储器裸片。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。

10.一种方法，其包括：

经由存储器装置的对应多个外部命令/地址端子接收命令作为多个命令/地址位，其中所述多个命令/地址位的第一组命令/地址位指示读取或写入操作且所述多个命令/地址位的第二组命令/地址位指示是否执行刷新操作；

响应于所述命令的所述第一组命令/地址位，对所述存储器装置的存储器阵列的一部分执行所述读取或写入操作；及

响应于所述命令的所述第二组所述命令/地址位，在所述第二组命令/地址位指示应执行所述刷新操作时执行所述刷新操作以刷新所述存储器装置的至少一个存储器存储体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述方法包括响应于所述命令在所述命令的所述第二组命令/地址位指示不应执行所述刷新操作时执行所述读取或写入操作而不执行所述刷新操作。

12.根据权利要求10所述的方法，其中执行所述刷新操作包含在执行所述读取或写入操作之后执行所述刷新操作。

13.根据权利要求10所述的方法，其中执行所述刷新操作包含在确定所述第二组命令/地址位中的命令/地址位被断言之后执行所述刷新操作。

14.根据权利要求10所述的方法，其中执行所述刷新操作包含在确定所述第二组命令/地址位中的命令/地址位未被断言之后执行所述刷新操作。