[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

基底结构，其包括沿第一方向延伸的一系列导电结构；所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶；及

在所述台阶上方的半导体材料的支柱；所述半导体材料包括选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱沿所述第一方向比所述台阶更宽。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱沿所述第一方向比所述台阶更窄。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱的宽度沿所述第一方向与所述台阶的宽度大约相同。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱沿正交于所述第一方向的第二方向比所述台阶更宽。

6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱沿正交于所述第一方向的第二方向比所述台阶更窄。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱的宽度沿正交于所述第一方向的第二方向与所述台阶的宽度大约相同。

8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱沿所述第一方向通过中介区彼此间隔；其中所述支柱具有沿所述中介区的侧壁表面；其中所述台阶具有大体上水平上表面；且其中所述侧壁表面在正交于所述大体上水平上表面的约15°内。

9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述侧壁表面大体上正交于所述大体上水平上表面。

10.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述侧壁表面为第一侧壁表面，且所述中介区为第一中介区；其中所述支柱沿正交于所述第一方向的第二方向通过第二中介区彼此间隔；其中所述支柱具有沿所述第二中介区的第二侧壁表面；且其中所述第二侧壁表面在正交于所述大体上水平上表面的约15°内。

11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述第二侧壁表面大体上正交于所述大体上水平上表面。

12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括半导体氧化物材料。

13.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括InGaZnO，其中所述化学式指示主要组分而非特定化学计量比。

14.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电结构包括含金属材料。

15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电结构包括W、Ru及Mo中的一或多者。

16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述半导体材料直接接触所述导电结构。

17.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述台阶的上表面比所述凹入区的上表面高至少大约2nm。

18.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述台阶的上表面比所述凹入区的上表面高至少大约5nm。

19.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述台阶的上表面比所述凹入区的上表面高在从大约5nm到大约10nm的范围内的量。