[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法

说明书

本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其包含基底结构。所述基底结构包含沿第一方向延伸的一系列导电结构。所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶。半导体材料的支柱在所述台阶上方。所述半导体材料包含选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。在一些应用中，所述半导体材料可为半导体氧化物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

技术领域

集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

背景技术

存储器可利用存储器单元，其个别地包括与存储元件(例如，电容器、电阻式存储器装置、相变存储器装置等)组合的存取装置(例如，存取晶体管)。

希望开发改进的晶体管及改进的存储器架构。

发明内容

一方面，本申请案提供一种集成组合件，其包括：基底结构，其包括沿第一方向延伸的一系列导电结构；所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶；及在所述台阶上方的半导体材料的支柱；所述半导体材料包括选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素。

另一方面，本申请案提供一种集成存储器，其包括：基底结构，其包括沿第一方向延伸的一系列导电结构；所述导电结构具有沿所述第一方向与凹入区交替的台阶；所述台阶具有大体上水平第一上表面且所述凹入区具有在所述第一上表面下面的第二上表面；在所述台阶上方的半导体材料的支柱；所述半导体材料包括选自周期表的第13族的至少一种元素结合选自周期表的第16族的至少一种元素；所述支柱具有大体上垂直侧壁表面；所述支柱包括垂直地在第一与第二源极/漏极区之间的沟道区；所述第一源极 /漏极区在所述沟道区下方并且与所述第一导电结构耦合；第二导电结构，其沿大体上正交于所述第一方向的第二方向延伸；所述第二导电结构邻近于所述侧壁表面且靠近所述沟道区；及存储元件，其与所述上源极/漏极区耦合。

另一方面，本申请案提供一种形成集成组合件的方法，其包括：形成模板结构以包含起伏形貌，其包含相对于第二表面垂直偏移的第一表面，并且其包含在所述第一与第二表面之间的过渡区；所述第一表面是导电的且与沿第一方向延伸的导电结构相关联；所述导电结构具有一对相对侧壁；第一组所述第二表面沿所述导电结构且沿所述第一方向与所述第一表面交替；第二组所述第二表面与沿所述导电结构的所述相对侧壁的绝缘材料相关联；将半导体材料沉积在所述模板结构上方；晶界在所述沉积期间由所述过渡区产生；及至少沿所述晶界蚀刻以将所述半导体材料分成支柱，其中所述支柱从所述第一表面向上延伸。

附图说明

图1到1D是实例组合件的区的示意图。图1是俯视图。图1A到1D是分别沿图1 的线A-A、B-B、C-C及D-D的横截面侧视图。

图1B-1及1B-2是展示替代图1B的配置的配置的实例组合件的区的示意性横截面侧视图。

图1E是图1到1D的实例组合件的区的示意性三维视图。

图2到2C是在实例方法的实例工艺阶段处的实例组合件的区的示意图。图2是俯视图。图2A到2C是分别沿图2的线A-A、B-B及C-C的横截面侧视图。

图3到3C是在图2到2C的实例工艺阶段之后的实例工艺阶段处的图2到2C的实例组合件的区的示意图。图3是俯视图。图3A到3C是分别沿图3的线A-A、B-B及 C-C的横截面侧视图。

图4到4C是在图3到3C的实例工艺阶段之后的实例工艺阶段处的图2到2C的实例组合件的区的示意图。图4是俯视图。图4A到4C是分别沿图4的线A-A、B-B及 C-C的横截面侧视图。

图5到5C是在图4到4C的实例工艺阶段之后的实例工艺阶段处的图2到2C的实例组合件的区的示意图。图5是俯视图。图5A到5C是分别沿图5的线A-A、B-B及 C-C的横截面侧视图。