[发明专利]一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法

权利要求书

1.一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于生产一种双面MWT-HIT电池组件，所述电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；

其中，所述正面TCO层上设有正面细栅，所述背面TCO层上设有背面细栅，所述正面细栅图形与背面细栅图形高度一致；

所述背面细栅在背面负极点处为套圈结构，形成包围背面负极点的背面电极环，所述背面电极环与背面负极点设有印刷刻蚀浆料进行隔离绝缘；

所述N型单晶硅衬底上设有通孔，所述通孔内有浆料，浆料贯穿正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、集成式复合型局域导电芯板，所述通孔内为低温银浆作为堵孔浆料，所述通孔构成背面负极点；

集成式复合型局域导电芯板包含自上而下依次设置的第二背面导电箱、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第一背面高透绝缘聚合物；

所述制备方法包括如下工艺步骤：

S01对N型单晶硅衬底进行激光打孔；

S02硅片清洗抛光：对N型单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形成金字塔绒面；

S03双面沉积本征非晶硅钝化层；

S04正面进行N型非晶硅沉积；

S05背面进行P型非晶硅沉积；

S06正面进行TCO沉积；

S07背面进行TCO沉积；

S08背面在孔的位置周围印刷刻蚀浆料进行背面TCO和P型非晶硅的局部刻蚀；

S09丝网印刷堵孔浆料：将堵孔浆料从背面印刷入提前在硅片上用激光打的孔中；

S10丝网印刷背面低温银浆；

S11丝网印刷正面低温银浆；

S12依次平放背面超白高透玻璃、第一背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第二背面导电箔、导电胶、电池片、正面封装聚合物、正面超白高透玻璃；

S13进入组件层压机进行组件封装。

2.根据权利要求1所述的一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法，其特征在于，

所述S12中铺设的第一背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第二背面导电箔为预制为一体式结构。

3.根据权利要求2所述的一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法，其特征在于，所述一体式结构为集成式复合型局域导电芯板，所述集成式复合型局域导电芯板通过以下方式制备：

集成式复合型局域导电芯板与MWT-HIT电池的背面进行对位接触并层压封装，在对位接触层压封装前，将背面负极点和背面电极环上分别印刷导电胶；然后按如下顺序进行各层的覆盖：

S121，第二背面导电箔中的圆环状区域完全覆盖住背面电极环，并通过背面电极环上的导电胶进行有效连接导电；进行层压封装后该位置的导电胶不溢出第二背面导电箔中的圆环位置，第二背面导电箔中的圆环避开背面负极点位置；

S122，进行第二背面高透绝缘聚合物的覆盖，背面负极点在第二背面高透绝缘聚合物的圆孔正中，第二背面高透绝缘聚合物的圆孔直径大于背面负极点的直径；第二背面高透绝缘聚合物的圆孔直径小于第二背面导电箔中圆环状区域内径，第二背面高透绝缘聚合物覆盖后完全遮盖住第二背面导电箔的区域，仅在第二背面高透绝缘聚合物的圆孔中漏出背面负极点区域；

S123，进行第一背面导电箔的覆盖，第一背面导电箔的格点背面负极点通过背面负极点上的导电胶进行粘接导电；

S124，最后进行第一背面高透绝缘聚合物覆盖。