[发明专利]一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法

说明书

本发明公布一种双面MWT‑HIT电池组件的制备方法，电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面正电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；本社申请电池组件将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面，大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题，也可搭配超细栅技术，利于产业化HIT电池的降本增效。

技术领域

本发明属于光伏组件生产技术领域，具体涉及一种双面MWT-HIT电池组件的制备方法。

背景技术

MWT电池具有背接触结构，由于正面没有主栅，可有效降低遮光面积，同时大幅降低银浆耗量。且相较于其他背接触结构如IBC，工艺简单成本低，具有较好的性价比。但目前受制于背面封装方式，难以实现低成本的双面化。HIT电池具有高转换效率、低温度系数、低衰减、弱光性好等优点，但目前低温银浆耗量及其单价较高，占据BOM成本最高比例，性价比相对较差。

发明内容

为了解决上述背景技术中的问题，本发明的目的是提供一种双面MWT-HIT电池组件产品制备方法，将MWT结构正面低遮光面积和低银耗的特点发挥到背面，大幅缓解了产业化HIT电池中高银耗量的问题，也可搭配超细栅技术，利于产业化HIT电池的降本增效。

本发明为一种双面MWT-HIT电池组件，所述电池组件自上而下依次包括正面超白高透玻璃、正面封装聚合物、正面电极、正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃；

其中，所述正面TCO层上设有正面细栅，所述背面TCO层上设有背面细栅，所述正面细栅图形与背面细栅图形高度一致；

所述背面细栅在电极点处为套圈结构，形成包围背面正极电极点的背面电极环，所述背面电极环与背面正极电极点设有印刷刻蚀浆料进行隔离绝缘；

所述N型单晶硅衬底上设有通孔，所述通孔内有浆料，浆料贯穿正面TCO层、正面N+型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅钝化层、N型单晶硅衬底、背面本征非晶硅钝化层、背面P型掺杂非晶硅发射层、背面TCO层、背面电极环、集成式复合型局域导电芯板，所述通孔内为低温银浆作为堵孔浆料，所述通孔构成背面负极点。

进一步的，所述集成式复合型局域导电芯板包含自上而下依次设置的第二背面导电箔、第二背面高透绝缘聚合物、第一背面导电箔、第一背面高透绝缘聚合物，其中，

所述第二背面导电箔上设有圆环状区域，所述圆环状区域完全覆盖背面电极环，并通过背面电极环上的导电胶进行有效连接导电，所述圆环状区域避开背面的负极点重叠；

所述第二背面高透绝缘聚合物中设有圆孔，所述背面负极点位于圆孔正中，所述第二背面高透绝缘聚合物的圆孔直径小于第二背面导电箔中圆环内径，仅在第二背面高透绝缘聚合物的圆孔中漏出背面负极点区域；

所述第一背面导电箔为格状导电线路，所述格状导电线路的格点与背面负极点通过背面负极点顶部的导电胶进行粘接导电；

在所述第一背面导电箔的外侧面覆盖第一背面高透绝缘聚合物。

进一步的，在所述集成式复合型局域导电芯板、背面超白高透玻璃之间还设有改色膜层，所述改色膜层的形状为第二背面导电箔的等比例放大，覆盖时要求完全覆盖住第二背面导电箔和第一背面导电箔。

本申请还提供上述双面MWT-HIT电池组件的制备方法，所述制备方法包括如下工艺步骤：

S01对N型单晶硅衬底进行激光打孔；