[发明专利]一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法在审
申请号: | 202111142666.7 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113808678A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 刘延星;李润华;柯志江;张超 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | G16C20/10 | 分类号: | G16C20/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523808 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模拟 gh4169 合金 晶粒 长大 行为 自动机 方法 | ||
1.一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
步骤1:生成初始微观组织的步骤;
步骤2:模拟晶粒长大行为的步骤;
所述步骤1包括如下子步骤:
(1) 选定模拟区域,将模拟区域离散为由元胞构成的网格,设定总的模拟步数;
(2) 给元胞状态变量赋初值,所述元胞状态变量包括晶粒编号变量和晶粒取向变量;
(3) 在选定模拟区域内随机选取个元胞,并给所选取的个元胞赋不同的晶粒编号变量和晶粒取向变量;
(4) 对所有元胞逐一进行以下计算:假设当前元胞的状态转变为邻居元胞的状态,计算系统能量的变化,若系统能量降低,则将当前元胞的状态转变为邻居元胞的状态;
(5) 重复所述步骤1的子步骤(4),直至完成所述总的模拟步数;
所述步骤2包括如下子步骤:
(1) 确定总模拟时间,为元胞状态变量赋初值;所述元胞状态变量包括晶粒编号变量以及晶粒取向变量;所述晶粒编号变量和所述晶粒取向变量以所述步骤1的计算结果为初值;
(2) 模拟晶粒长大的子步骤;
(3) 判断是否达到所述总模拟时间,若未达到,则再次执行所述子步骤(2),若已经达到所述总模拟时间,则停止模拟;
所述步骤2的所述子步骤(2)包括如下步骤:
a. 计算晶界迁移驱动力,,式中的为晶界曲率,为晶界能;晶界曲率的计算公式为:
其中, 为元胞边长,为晶界曲率统计区域内,与中心元胞
b. 计算晶界迁移速率,,式中的为晶界迁移率,计算公式为:
其中,和为材料参数,的取值范围为10-12-10-11,的取值范围为105-106,为伯氏矢量,为玻尔兹曼常数;
c. 计算晶界迁移距离变量,,式中的为时间步长;
d. 若所述晶界迁移距离变量大于相邻两个元胞之间的距离,则将当前元胞的状态转变为晶界曲率最大的邻居元胞的状态。
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