[发明专利]一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法在审

专利信息
申请号: 202111142666.7 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113808678A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 刘延星;李润华;柯志江;张超 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: G16C20/10 分类号: G16C20/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 模拟 gh4169 合金 晶粒 长大 行为 自动机 方法
【说明书】:

发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法包括以下步骤:(1)生成初始微观组织;(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法,可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为,为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。

技术领域

本发明涉及一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,属于热加工工程技术领域。

背景技术

GH4169合金的合金化程度高,并具有多种析出相,是一种专门为高温服役环境而设计的镍基高温合金。这种合金可以耐高温、抗腐蚀、抗氧化,并具有较强的抗蠕变和抗疲劳性能,被广泛应用于制造涡轮盘、机匣等航空发动机零部件。GH4169合金的晶粒组织和强化相等微观组织特征决定了零部件的服役性能。因此,精确预测热加工过程中GH4169合金的微观组织演变,对航空发动机零部件的高品质制造具有重要意义。

然而,由于GH4169合金组织在热处理过程中演变规律十分复杂,目前尚缺少能精确模拟GH4169合金晶粒长大行为的方法。针对这一难题,本发明提供了一种可以模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法。本发明的创新性在于,在元胞模型中引入了影响晶粒长大行为的主要物理因素,极大地提高了模型的预测精度,提出的方法通过实施例进行了验证,结果表明本方法可以有效地模拟GH4169合金晶粒长大行为。

发明内容

本发明的目的在于提供一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法是基于物理机制建立的,可以精确地预测GH4169的晶粒长大过程中晶粒组织的晶界曲率以及长大规律。

为达到上述目的,本发明采取的技术方案是:一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法包括以下步骤:

步骤1:生成初始微观组织的步骤;

步骤2:模拟晶粒长大行为的步骤;

步骤1包括如下子步骤:

(1) 选定模拟区域,将模拟区域离散为由元胞构成的网格,每个正方形元胞的边长为,设定总的模拟步数;

(2) 给元胞状态变量赋初值,元胞状态变量包括晶粒编号变量和晶粒取向变量;

(3) 在选定模拟区域内随机选取个元胞,并给所选取的个元胞赋不同的晶粒编号变量和晶粒取向变量;

(4) 对所有元胞逐一进行以下计算:假设当前元胞的状态转变为邻居元胞的状态,计算系统能量的变化,若系统能量降低,则将当前元胞的状态转变为邻居元胞的状态;

(5) 重复步骤1的子步骤(4),直至完成总的模拟步数;

步骤2包括如下子步骤:

(1) 确定总模拟时间,为元胞状态变量赋初值;元胞状态变量包括晶粒编号变量以及晶粒取向变量;晶粒编号变量和晶粒取向变量以步骤1的计算结果为初值;

(2) 模拟晶粒长大的子步骤;

(3) 判断是否达到总模拟时间,若未达到,则再次执行子步骤(2),若已经达到总模拟时间,停止模拟;

步骤2的子步骤(2)包括如下步骤:

a. 计算晶界迁移驱动力,,式中的为晶界曲率,为晶界能;晶界曲率的计算公式为,

其中,为晶界曲率统计区域内,与中心元胞i状态不同的元胞的个数,为晶界为平直晶界时,统计区域内与中心元胞i状态不同的元胞个数,为统计区域直径,为统计区域内总的元胞个数,为拓扑参数。选用直径为15个元胞的晶界曲率统计区域,元胞i位于统计区域的中心位置,此时,,。的取值范围为15-20。当取最大值176时,晶界曲率可取最大值,确定时间步长,;

b. 计算晶界迁移速率,,式中的为晶界迁移率,计算公式为

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