[发明专利]一种多级的高比容的高压铝箔化成方法有效
申请号: | 202111144828.0 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113948315B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 徐友龙;李一卓 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01G9/00 | 分类号: | H01G9/00;H01G9/045;H01G9/055 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 白文佳 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 比容 高压 铝箔 化成 方法 | ||
1.一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将适用于450-700V的高压腐蚀铝箔水煮后烘干;
2)将烘干的铝箔连接在直流电源的正极端,负极选用铝箔,置于一级化成液中进行化成,一级化成液温度为60-85℃,一级化成电压为50-150V,一级化成电流密度为50-70mA/cm2,电压到达一级化成电压时停止一级化成;一级化成液通过以下过程制得:将主溶质和含多元羧酸辅助溶质加入到去离子水中,混合均匀,采用氨水调节pH至5-6,得到一级化成液;
主溶质为己二酸铵、壬二酸铵与辛二酸铵中的一种或多种,一级化成液中主溶质的质量分数为5%-10%;
含多元羧酸辅助溶质为柠檬酸、均苯三甲酸、酒石酸和马来酸中的一种或多种,一级化成液中辅助溶质的质量分数为1%-5%;
3)将经过步骤2)处理的铝箔连接在直流电源的正极端,负极选用铝箔,置于二级化成液中进行化成,二级化成液温度为60-85℃,二级化成电压为150-450V,二级化成电流密度为45-65mA/cm2,电压到达二级化成电压时停止二级化成;
4)将经过步骤3)处理的铝箔连接在直流电源的正极端,负极选用铝箔,置于三级化成液中进行化成,三级化成液温度为60-85℃,三级化成电压为450-700V,三级化成电流密度为40-60mA/cm2,电压到达三级化成电压后再维持该电压降流5-10min;
5)将经步骤4)处理的铝箔进行热处理;
6)将经过热处理的铝箔连接在直流电源的正极端,负极选用铝箔,置于补形成液中进行补形成。
2.根据权利要求1所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,水煮的温度为100℃,时间为5-25min。
3.根据权利要求1所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,二级化成液通过以下过程制得:将主溶质和含多元羧酸辅助溶质加入到去离子水中,混合均匀,采用氨水调节pH至5-6,得到二级化成液。
4.根据权利要求3所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,主溶质为硼酸、偏硼酸、四硼酸钠与五硼酸铵中的一种或多种,二级化成液中主溶质的质量分数为10%-15%;
含多元羧酸辅助溶质为柠檬酸、均苯三甲酸、酒石酸和马来酸中的一种或多种,二级化成液中辅助溶质的质量分数为0.5%-1%。
5.根据权利要求1所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,三级化成液通过以下过程制得:将主溶质和含多元羧酸辅助溶质加入到去离子水中,混合均匀,采用氨水调节pH至5-6,得到三级化成液。
6.根据权利要求5所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,主溶质为硼酸与偏硼酸中的一种或多种,三级化成液中主溶质的质量分数为3%-10%;
含多元羧酸辅助溶质为柠檬酸、均苯三甲酸、酒石酸和马来酸中的一种或多种,三级化成液中辅助溶质的质量分数为0.01%-0.5%。
7.根据权利要求1所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,
补形成液温度为60-85℃,补形成电压为450-700V,补形成电流密度为30-50mA/cm2,电压到达补形成电压后再维持该电压降流2-5min;
补形成液通过以下过程制得:将主溶质和含多元羧酸辅助溶质加入到去离子水中,混合均匀,采用氨水调节pH至5-6,得到补形成液。
8.根据权利要求7所述的一种多级的高比容的高压铝箔化成方法,其特征在于,主溶质为硼酸与偏硼酸中的一种或多种,三级化成液中主溶质的质量分数为1%-5%;
含多元羧酸辅助溶质为柠檬酸、均苯三甲酸、酒石酸和马来酸中的一种或多种,三级化成液中辅助溶质的质量分数为0.01%-0.1%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111144828.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。