[发明专利]测试结构、方法与电子设备

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

测试矩阵，包括N个测试单元行，每个所述测试单元行包括M个测试单元，一个所述测试单元由一个待测试器件和一个开关器件串联形成；

M个第一测试电极，M个所述第一测试电极沿所述测试矩阵的行方向设置；

N个第二测试电极，N个所述第二测试电极沿所述测试矩阵的列方向设置，位于第P行第Q列上的所述测试单元的第一端与第P个所述第一测试电极电连接，所述测试单元的第二端与第Q个所述第二测试电极电连接，其中，M≥1，N≥1，1≤P≤M，1≤Q≤N。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述开关器件为三极管或者MOS管。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，在所述开关器件为MOS管的情况下，各所述MOS管的栅极与所述第一测试电极电连接，各所述MOS管的漏极与所述待测试器件的第一端电连接，各所述MOS管的源极接地，各所述待测试器件的第二端与所述第二测试电极电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的测试结构，其特征在于，所述待测试器件包括至少以下之一：

NMOS、PMOS、NPN BJT、PNP BJT。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还用于测试NMOS或者PMOS的开启电压和击穿电压。

6.一种采用权利要求1至5中任一项所述的测试结构进行WAT测试的方法，其特征在于，包括：

分别在各所述第一测试电极和各所述第二测试电极上施加电压；

通过控制所施加的电压的大小，以控制与欲测试的所述待测试器件串联的所述开关器件导通，控制其余的所述开关器件关闭。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过控制所施加的电压的大小，以控制与欲测试的所述待测试器件串联的所述开关器件导通，控制其余的所述开关器件关闭，包括：

在欲测试位于第P行第Q列上的所述测试单元中的待测试器件的情况下，控制位于第P行第Q列上的所述测试单元中的所述开关器件导通，控制其余的所述开关器件关闭。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述开关器件为NMOS管的情况下，在欲测试位于第P行第Q列上的所述测试单元中的待测试器件的情况下，控制位于第P行第Q列上的所述测试单元中的所述开关器件导通，控制其余的所述开关器件关闭，包括：

在第P个所述第一测试电极上施加第一电压，所述第一电压大于所述NMOS管的导通电压，在其余的所述第一测试电极上施加第二电压，所述第二电压小于所述NMOS管的导通电压，在第Q个所述第二测试电极上施加第三电压，所述第三电压等于0V，在其余的所述第二测试电极上施加所述第一电压，以控制位于第P行第Q列上的所述测试单元中的所述NMOS管导通，控制其余的所述NMOS管截止。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二电压等于0V。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的测试结构。