[发明专利]一种降低米勒电容的MOSFET制造方法

权利要求书

1.一种降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在衬底的表面生长外延层，并在外延层中形成沟槽，并在沟槽表面形成第一氧化层；

步骤S2：在第一氧化层表面生成氮化硅，并在氮化硅上淀积第一多晶硅，将沟槽内的第一多晶硅进行腐蚀，保留沟槽底部的部分第一多晶硅；

步骤S3：氧化第一多晶硅，生成第二氧化层；

步骤S4：腐蚀氮化硅，使得氮化硅与第二氧化层的高度平齐；

步骤S5：腐蚀第一氧化层，使得第一氧化层与氮化硅的高度平齐；

步骤S6：在沟槽侧壁生长第三氧化层，第三氧化层延伸至第一氧化层一端；

步骤S7：在沟槽内淀积第二多晶硅，并腐蚀第二多晶硅，使得第二多晶硅的高度低于沟槽的高度。

2.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述沟槽的深度为1.0-3.0微米。

3.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述第一多晶硅为N型掺杂的多晶硅或P型掺杂的多晶硅或未掺杂的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：在上述步骤S2中，保留沟槽底部的部分第一多晶硅的厚度为0.2-0.5微米。

5.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：所述第一氧化层的厚度为30-300纳米，所述氮化硅的厚度为30-200纳米。

6.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：上述步骤S3中，采用800-1100摄氏度的氧化工艺，将所述第一多晶硅全部氧化生成第二氧化层；

第二氧化层7的纵向厚度为0.4-1.0微米。

7.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于，上述步骤S4具体包括：

步骤S41：采用过腐蚀的工艺方法，将第二氧化层顶部的氮化硅腐蚀，使得氮化硅与第二氧化层的高度平齐；

步骤S42：基于腐蚀工艺的各向同性，氮化硅在第二氧化层的两侧形成第一凹陷区；

上述步骤S5具体包括：

步骤S51：采用过腐蚀的工艺方法，将氮化硅顶部的第一氧化层腐蚀，使得第一氧化层与氮化硅的高度平齐；

步骤S52：基于腐蚀工艺的各向同性，第一氧化层在氮化硅的两侧形成第二凹陷区。

8.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：在步骤S6中，采用800-1100摄氏度的氧化工艺，在沟槽的侧壁，氧原子与硅原子反应生成所述第三氧化层；

所述第三氧化层的厚度为15-80纳米。

9.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于：MOSFET的类型与第二多晶硅的掺杂类型相同。

10.根据权利要求1所述的降低米勒电容的MOSFET制造方法，其特征在于，上述步骤S7之后还包括：

步骤S8：在外延层中依次形成体区和源区；

所述体区在靠近沟槽底部的末端高于所述第二多晶硅在靠近沟槽底部的末端，两者在对应沟槽底部的末端相差0.1-0.3微米。