[发明专利]一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202111158333.3 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113884403B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 应小维;曹生轩;朱晓宇;魏东;袁海江 申请(专利权)人: 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
主分类号: G01N3/56 分类号: G01N3/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张海燕
地址: 239000 安徽省滁*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 检测 方法 装置 终端设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种薄膜检测方法,其特征在于,包括:

以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试;

确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线;所述薄膜磨损曲线为所述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线;

计算所述薄膜磨损曲线的标准差和平均值;

将所述标准差和所述平均值的比值确定为离散程度;

若所述离散程度大于等于第一预设阈值,则更正所述薄膜磨损曲线;

若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于所述第一预设阈值,则根据所述更正后的薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度;

所述更正所述薄膜磨损曲线,包括:

计算所述薄膜磨损曲线的平均值;

若所述平均值大于等于第二预设阈值,则将所述预设测试负载调低预设值;

以调低后的预设测试负载对所述薄膜预设区域进行摩擦测试,确定所述更正后的薄膜磨损曲线。

2.如权利要求1所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线,包括:

对施以预设测量负载的薄膜预设区域进行测量,确定所述薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度;

对施以预设测量负载的薄膜目标区域进行测量,确定所述薄膜目标区域的凹陷深度;

将所述各个位置的凹陷深度和所述薄膜目标区域的凹陷深度之间的差值确定为所述磨损深度;

根据所述各个位置分别对应的磨损深度确定所述薄膜磨损曲线。

3.如权利要求1所述的薄膜检测方法,其特征在于,在以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试之前,还包括:

对所述待测样品的薄膜硬度进行检测,根据所述薄膜硬度确定所述预设测试负载。

4.如权利要求1至3任一项所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试,包括:

以预设测试负载对至少两种待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试;所述至少两种待测样品之间的制程条件不同;

相应地,在根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度之后,包括:

根据所述至少两种待测样品分别对应的薄膜强度确定所述待测样品对应的目标制程。

5.一种薄膜检测装置,其特征在于,包括:

测试模块,用于以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试;

曲线确定模块,用于确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线;所述薄膜磨损曲线为所述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线;

强度确定模块,用于根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度;

所述强度确定模块包括:

程度确定单元,用于确定所述薄膜磨损曲线的离散程度;

曲线更正单元,用于若所述离散程度大于等于第一预设阈值,则更正所述薄膜磨损曲线;

强度确定单元,用于若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于所述第一预设阈值,则根据所述更正后的薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度;

所述程度确定单元包括:

第一计算子单元,用于计算所述薄膜磨损曲线的标准差和平均值;

程度确定子单元,用于将所述标准差和所述平均值的比值确定为所述离散程度;

所述曲线更正单元包括:

第二计算子单元,用于计算所述薄膜磨损曲线的平均值;

负载调整子单元,用于若所述平均值大于等于第二预设阈值,则将所述预设测试负载调低预设值;

测试子单元,用于以调低后的预设测试负载对所述薄膜预设区域进行摩擦测试,确定所述更正后的薄膜磨损曲线。

6.一种终端设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4任一项所述的一种薄膜检测方法的步骤。

7.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的一种薄膜检测方法的步骤。

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