[发明专利]提高芯片裂片良率的裂片装置及方法在审

专利信息
申请号: 202111160677.8 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN114083703A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 汪洋;李俊生;马玮辰;尚修仲;陈冲 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;H01L21/78;H01L33/00;B23K26/362
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 提高 芯片 裂片 装置 方法
【说明书】:

本公开提供了提高芯片裂片良率的裂片装置及方法,属于发光二极管技术领域。裂片装置中,晶圆移动部件可以实现晶圆在各个相互间隔的部件之间的正常移动。贴膜部件包括晶圆贴膜平台、保护膜放置平台与保护膜移动组件,保护膜移动组件用于将保护膜吸附并移动至晶圆贴膜平台并贴至晶圆上。实现保护膜与晶圆的表面之间的稳定贴付,减小芯粒的移动。晶圆移动部件将贴付有保护膜的晶圆移动至劈裂平台上,第一驱动组件驱动压板压紧芯粒,减小芯粒与切割道之间位置的干涉。第二驱动组件驱动劈裂刀沿晶圆上具有的切割道劈裂相邻的两个芯粒。贴膜部件的增加以及压板的配合,能够降低芯粒在裂片过程中出现的位移,提高最终得到的芯粒的成品良率。

技术领域

本公开涉及发光二极管技术领域,特别涉及一种提高芯片裂片良率的裂片装置及方法。

背景技术

发光二极管是一种常见光源器件,广泛应用于远程遥控,车辆传感,闭路电视等方面,发光二极芯片则是用于制备发光二极管的基础结构。

发光二极管芯片的制备过程包括,在晶片上生长外延层,在外延层上形成多组n电极与p电极的结构得到晶圆,将晶圆放置在承载膜上,通过激光切割晶圆上的外延层形成切割道,将外延层划分为多个芯粒,每个芯粒均具有一个n电极与p电极。再在芯粒的表面贴上保护膜,通过裂片机构下压保护膜并对切割道进行劈裂,实现芯粒与芯粒之间的完全分离。后续再进过封装等系列操作得到完整的发光二极管。

激光在划裂外延层并形成切割道的过程中,部分相邻的芯粒之间会被激光完全划裂分开,而部分相邻的芯粒之间不会完全分开,已分离的芯粒在应力作用下容易出现位置的移动并干涉切割道,劈裂过程中可能出现芯粒的损坏,另一方面贴保护膜的过程中均为人工贴膜,容易出现受力不均导致芯粒的位置进一步出现移动,最终导致劈裂得到的芯粒的成品良率不够理想。

发明内容

本公开实施例提供了提高芯片裂片良率的裂片装置及方法,能够降低芯粒在裂片过程中出现的位移,提高最终得到的芯粒的成品良率。所述技术方案如下:

本公开实施例提供了一种提高芯片裂片良率的裂片装置,所述提高芯片裂片良率的裂片装置包括晶圆移动部件、贴膜部件与劈裂部件,所述晶圆移动部件、所述贴膜部件与所述劈裂部件相互间隔分布,所述晶圆移动部件用于控制晶圆移动至所述贴膜部件或者所述劈裂部件中,

所述贴膜部件包括晶圆贴膜平台、保护膜放置平台与保护膜移动组件,所述放置平台、所述晶圆贴膜平台与所述保护膜放置平台相互间隔分布,所述保护膜放置平台用于放置保护膜,所述保护膜移动组件用于将保护膜吸附并移动至所述晶圆贴膜平台并贴至晶圆上,

所述劈裂部件包括晶圆劈裂平台、第一驱动组件、第二驱动组件、压板与劈裂刀,所述晶圆劈裂平台与所述晶圆贴膜平台间隔,所述第一驱动组件与所述晶圆劈裂平台相连,所述第一驱动组件与所述压板相连,所述第一驱动组件与所述压板相连,所述第二驱动组件与所述劈裂刀相连,所述压板与所述劈裂刀均正对所述晶圆劈裂平台,所述压板具有刀具伸出孔,所述劈裂刀插设在所述刀具伸出孔内,所述第一驱动组件与用于驱动所述压板朝向或远离所述晶圆劈裂平台移动,所述第二驱动组件用于驱动所述劈裂刀朝向或远离所述晶圆劈裂平台移动。

可选地,所述保护膜移动组件包括驱动单元、安装板与吸嘴,所述驱动单元与所述晶圆贴膜平台或者与所述保护膜放置平台相连,所述驱动单元与所述安装板相连且用于驱动所述安装板移动至所述晶圆贴膜平台或所述保护膜放置平台的上方,所述吸嘴与所述安装板相连,且所述吸嘴的吸附平面平行于所述晶圆贴膜平台的表面以及所述保护膜放置平台的表面。

可选地,所述保护膜移动组件包括多个吸嘴,所述多个吸嘴相互间隔分布在所述安装板上且所述多个吸嘴的吸附平面均在同一平面内。

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