[发明专利]TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备

权利要求书

1.一种TFT像素结构，其特征在于，包括：

基板；

设置在基板上的栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；

设置在所述栅极金属台远离所述栅极层一侧的绝缘层；

设置在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧的有源层、第一极以及第二极，所述第一极和所述第二极设置在所述有源层远离所述绝缘层的一侧，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；

设置在所述第一极远离所述绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；

设置在所述第一金属层远离所述第一极一侧的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述第一极与所述第一金属层之间的搭接面积大于第一预设值。

3.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述第二极与当前像素的数据线连通，所述第一极的边缘与当前像素的相邻像素的数据线之间的垂直距离大于第二预设值。

4.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值。

5.根据权利要求1所述的TFT像素结构，其特征在于，所述栅极金属台与当前像素的数据线之间具有重叠区域，所述当前像素的开口率大小与所述重叠区域的面积之间成正比。

6.根据权利要求5所述的TFT像素结构，其特征在于，在所述第二极与所述数据线完全重合，所述半导体区域靠近所述数据线一侧的边缘与所述数据线边缘重合的情况下，所述当前像素的开口率最大。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的TFT像素结构，其特征在于，所述有源层未与所述第一极和所述第二极重合的区域形状为“工”字型。

8.一种权利要求1至7中任一项所述的TFT像素结构的制作方法，其特征在于，至少包括：

在基板上制作栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；

在所述栅极金属台远离所述基板的一侧制作绝缘层；

在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧基于光掩模工艺同时制作有源层、第一极和第二极，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；

在所述第一极远离所述绝缘层一侧制作第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；

在所述第一金属层远离所述第一极一侧制作第二金属层。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板基于多个权利要求1至7中任一项所述的TFT像素结构组成，并且所述多个TFT像素结构之间按照阵列方式排布。

10.一种电子设备，其特征在于，至少包括权利要求9所述的显示面板。