[发明专利]TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备

说明书

本公开提供了一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备，包括：基板；设置在基板上的栅极层，栅极层包括延第一方向延伸的栅线以及与栅线垂直设置的栅极金属台；设置在栅极金属台上的绝缘层；设置在绝缘层上的有源层、第一极以及第二极，第一极和第二极设置在有源层远离绝缘层的一侧，有源层与栅极金属台以及与栅极金属台连通的栅线部分重叠，第一极和第二极分别设置在有源层的两侧，有源层与第一极和第二极之间均存在重叠部分，第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域。本公开通过新的像素结构，在制作有源层和源漏极层时通过光掩模工艺一次成型，减少了一次曝光、刻蚀、清洗流程，降低材料消耗，节约了原材成本和工厂产能。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备。

背景技术

随着现在显示市场上液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)产品的占有基本平衡，竞争日益激烈的生态环境逐步缩窄，低成本化的设计与生产迫在眉睫。现有技术中基于六次曝光所制成的6mask像素产品是目前常用的像素产品，而如何在保证产品显示素质的前提下，降低像素制作成本时亟需解决的问题。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备，用以解决现有技术中像素产品制作成本高的问题。

本公开的实施例采用如下技术方案：一种TFT像素结构，包括：基板；设置在基板上的栅极层，其中，所述栅极层至少包括延第一方向延伸的栅线以及与所述栅线垂直设置的栅极金属台，并且所述栅极金属台与所述栅线连通；设置在所述栅极金属台远离所述栅极层一侧的绝缘层；设置在所述绝缘层远离所述栅极金属台一侧的有源层、第一极以及第二极，所述第一极和所述第二极设置在所述有源层远离所述绝缘层的一侧，其中，所述有源层与所述栅极金属台以及与所述栅极金属台连通的栅线部分重叠，所述第一极和所述第二极的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致，所述第一极和所述第二极分别设置在所述有源层的两侧，并且所述有源层与所述第一极和所述第二极之间均存在重叠部分，所述第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域；设置在所述第一极远离所述绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述第一极搭接；设置在所述第一金属层远离所述第一极一侧的第二金属层。

在一些实施例中，所述第一极与所述第一金属层之间的搭接面积大于第一预设值。

在一些实施例中，所述第二极与当前像素的数据线连通，所述第一极的边缘与当前像素的相邻像素的数据线之间的垂直距离大于第二预设值。

在一些实施例中，所述半导体区域边缘与其最接近的栅极金属台边缘之间的垂直距离大于或等于第三预设值。

在一些实施例中，所述栅极金属台与当前像素的数据线之间具有重叠区域，所述当前像素的开口率大小与所述重叠区域的面积之间成正比。

在一些实施例中，在所述第二极与所述数据线完全重合，所述半导体区域靠近所述数据线一侧的边缘与所述数据线边缘重合的情况下，所述当前像素的开口率最大。

在一些实施例中，所述有源层未与所述第一极和所述第二极重合的区域形状为“工”字型。