[发明专利]容器、烹饪设备和制备容器的方法

权利要求书

1.一种容器，其特征在于，包括：

非金属基材；

发热层，所述发热层设在所述非金属基材的内表面上；

第一釉层，所述第一釉层设在所述发热层远离所述非金属基材的表面上；

其中，所述非金属基材与所述发热层接触的位置的厚度为4～6.5mm。

2.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，所述非金属基材包括底壁和侧壁，所述底壁和所述侧壁通过弧形过渡区连接，所述底壁和所述弧形过渡区的内表面上均设有所述发热层，所述弧形过渡区的平均厚度不小于所述底壁的平均厚度；和/或，

所述侧壁的至少一部分内表面上设有所述发热层。

3.根据权利要求2所述的容器，其特征在于，位于所述弧形过渡区和/或所述侧壁上的所述发热层的厚度在远离所述底壁的方向上逐渐减薄。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的容器，其特征在于，未设所述发热层的非金属基材的厚度不小于与设有所述发热层的非金属基材的厚度。

5.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，所述发热层包括70wt％～80wt％的金属磁性材料和20wt％～30wt％的釉料，所述发热层通过烧结形成在所述非金属基材的内表面上。

6.根据权利要求5所述的容器，其特征在于，所述发热层满足以下条件的至少之一：

所述金属磁性材料为相对磁导率小于1的弱磁性材料；

所述金属磁性材料为选自银、铝和铜中的至少之一；

所述釉料包括选自氧化铝、氧化硅、氧化硼、氧化铋和氧化钙中的至少之一；

所述发热层重量为1g～10g；

所述发热层的厚度为10μm～30μm；

所述发热层的方阻为1mΩ～10mΩ；

25KHz频率下，所述发热层的感应电阻为2Ω～5Ω；

所述发热层的表面粗糙度Rz为5μm≤Rz≤20μm；

所述发热层的孔隙率≤10％。

7.根据权利要求6所述的容器，其特征在于，所述发热层的方阻为1mΩ～5mΩ。

8.根据权利要求6所述的容器，其特征在于，所述发热层中，所述金属磁性材料形成有金属网状结构，所述釉料嵌入至少一部分的所述金属网状结构中。

9.根据权利要求5所述的容器，其特征在于，所述发热层包括釉料层和金属层，所述釉料层设在所述非金属基材的内表面上，所述金属层设在所述釉料层上并与所述釉料层互嵌连接。

10.根据权利要求9所述的容器，其特征在于，所述金属层的厚度大于所述釉料层的厚度。

11.根据权利要求5～10中任一项所述的容器，其特征在于，所述第一釉层的烧结温度小于所述发热层的软化温度；和/或，

所述第一釉层与所述发热层之间的界面为凹凸界面，所述第一釉层中的釉料渗入到所述发热层中，所述发热层中的所述金属磁性材料渗入到所述第一釉层中。

12.根据权利要求1所述的容器，其特征在于，所述第一釉层满足以下条件的至少之一：

所述第一釉层的厚度为100μm～500μm；

所述第一釉层包括选自氧化铝、氧化硅、氧化铋、氧化钛、氧化硼中的至少之一；

所述非金属基材上未形成所述发热层的内表面上也设有所述第一釉层。

13.根据权利要求1或5所述的容器，其特征在于，进一步包括：

第二釉层，所述第二釉层设在所述非金属基材的外表面上，所述第二釉层的厚度为100μm～500μm；和/或，所述第二釉层的烧结温度大于所述发热层的软化温度。