[发明专利]一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：包括基材、有机硅压敏胶层和离型膜，所述有机硅压敏胶层位于基材、离型膜之间，所述有机硅压敏胶包括以下重量组分：非极性端基生胶20～80份、非极性端基MQ树脂5～20份、高粘乙烯基硅油1～2份、交联剂0.1～2份、抑制剂0～1份、锚固剂0～1份、铂金催化剂0.5～5份、溶剂100～400份。

2.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述非极性端基生胶的通式为：R₁[Si(CH₃)₂O]_n[Si(CH₃)(C₂H₃)O]_mSi(CH₃)₂R₂；

R₁、R₂为3～10个碳原子的饱和烷烃基、苯基或苄基；n、m为正整数；非极性端基生胶的分子量为60万～80万，乙烯基摩尔分数为0.03％～0.3％。

3.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述非极性端基MQ树脂的通式为：(RSiO_0.5)a(CH₃SiO_0.5)x-a(SiO₂)y；

R为3～10个碳原子的饱和烷烃基、苯基、苄基中的一种或多种；a、x均为偶数，y为正整数；x/y的值为0.5～0.9。

4.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述高粘乙烯基硅油的粘度为60000～12000cps，乙烯基质量份数为0.3％～1％。

5.根据权利要求4所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述交联剂为高含氢硅油；所述有机硅压敏胶原料组成中SiH/SiVi的摩尔比值为2.0～6.0。

6.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述抑制剂为炔醇化合物、马来酸及其衍生物、富马酸及其衍生物中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述锚固剂为3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种低爬升有机硅保护膜，其特征在于：所述铂金催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物，铂含量为2000～8000ppm；

所述溶剂为甲苯、二甲苯、乙酸乙酯中的一种或多种混合物。

9.一种低爬升有机硅保护膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)取非极性端基生胶、非极性端基MQ树脂、溶剂放入三口烧瓶中，搅拌下加热回流0.5h，冷却至室温后倒入混料瓶中，加入高粘乙烯基硅油、交联剂、抑制剂、锚固剂，分散10min，加入铂金催化剂，分散10min，得到胶水；

(2)取PET膜作为基材，在其上涂布胶水并固化，叠加离型膜，熟化，得到保护膜。

10.根据权利要求9所述的一种低爬升有机硅保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的熟化工艺为：熟化温度45～85℃，熟化时间4～72h。