[发明专利]一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法，包括基材、有机硅压敏胶层和离型膜，所述有机硅压敏胶层位于基材、离型膜之间，所述有机硅压敏胶包括以下重量组分：非极性端基生胶20～80份、非极性端基MQ树脂5～20份、高粘乙烯基硅油1～2份、交联剂0.1～2份、抑制剂0～1份、锚固剂0～1份、铂金催化剂0.5～5份、溶剂100～400份。本发明通过有机硅体系的建立，采用非极性端基生胶、非极性端基MQ树脂等物料制备得到有机硅压敏胶，极性基团的含量减少，降低了有机硅压敏胶与被贴物间的相互作用，实现剥离力爬升的降低。

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域，具体为一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法。

背景技术

保护膜常用于电子产品屏幕和外壳保护，是一种在日常生活中非常常见的产品。作为保护材料对物品进行保护，保护膜还常用于模切行业。在模切行业中，一般根据应用方式和要求的不同，对保护膜材料进行选择。一些保护膜是在流通过程中贴在别的产品上进行使用的，起到保护作用，流转到下一个环节或工艺流程会被撕掉去除；还有一些保护膜是贴在终端产品上直接上市，要求比前者更高；有机硅保护膜凭借其在耐高低温、耐候、排气、透光性上的优势，成为电子保护膜领域的不二选择。而在模切制程中使用的保护膜，经常会出现在粘贴的时候效果非常好，但经过长时间贴合和流经其他环节或工艺流程，保护膜与被贴物的相对剥离力爬升显著增大，以至于在最后需要撕掉的环节或工艺流程时出现剥离困难。因此，我们提出一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种低爬升有机硅保护膜，包括基材、有机硅压敏胶层和离型膜，所述有机硅压敏胶层位于基材、离型膜之间，所述有机硅压敏胶包括以下重量组分：非极性端基生胶20～80份、非极性端基MQ树脂5～20份、高粘乙烯基硅油1～2份、交联剂0.1～2份、抑制剂0～1份、锚固剂0～1份、铂金催化剂0.5～5份、溶剂100～400份。

进一步的，所述非极性端基生胶的通式为：R₁[Si(CH₃)₂O]_n[Si(CH₃)(C₂H₃)O]_mSi(CH₃)₂R₂

R₁、R₂为3～10个碳原子的饱和烷烃基、苯基或苄基；n、m为正整数；非极性端基生胶的分子量为60万～80万，乙烯基摩尔分数为0.03％～0.3％。

非极性端基生胶的具体例子可为，但不限于：

而普通生胶为R₁[Si(CH₃)₂O]_n[Si(CH₃)(C₂H₃)O]_mSi(CH₃)₂R₂；R₁、R₂为甲基或乙烯基；n、m为正整数。

进一步的，所述非极性端基MQ树脂的通式为：(RSiO_0.5)a(CH₃SiO_0.5)x-a(SiO₂)y；

R为3～10个碳原子的饱和烷烃基、苯基、苄基中的一种或多种；a、x均为偶数，y为正整数；x/y的值为0.5～0.9。

非极性端基MQ树脂的具体例子可为，但不限于：