[发明专利]一种铜箔法软硬结合电路板叠层结构及其加工工艺

说明书

本发明公开了一种铜箔法软硬结合电路板叠层结构，涉及印制电路板技术领域，包括电路板本体，电路板本体包括挠性基板，挠性基板的正面和背面均设置有第一铜箔层，两个第一铜箔层的外侧均贴附有覆盖膜，两个覆盖膜的外侧贴附有可剥离保护膜；可剥离保护膜被剥离后且所述挠性区域的电路板本体其他结构被去除后形成电路板正反面对称的挠性弯折区域，位于挠性区域的覆盖膜可显露出来。本发明通过使用流动性半固化片，且在挠性区域不做镂空的方式，解决了因空腔区域凹陷导致的铜箔皱褶破裂问题，同时因半固化片不做镂空，层压后不形成空腔，也不会残留空气，改善了在等离子过程因气压差异而导致的空腔区域分层问题。

技术领域

本发明涉及印制电路板技术领域，具体涉及一种铜箔法软硬结合电路板叠层结构。

背景技术

随着电子的精密化和小型化，HDI结构已经占据刚挠结合电路板近一半的类型，HDI主要分为盲孔或者埋孔两种，其中埋孔均使用机械钻孔的方式，而盲孔则是使用镭射钻孔制作。目前，镭射钻孔主要有UV和CO2两种，其工作原理是通过镭射光束(激光光束)转换成热能一种加工方法，可加工厚度在0.15mm以内，其孔径一般是0.1mm到0.15mm之间。因此，在电路板叠层结构中，所有微盲孔加工均合作铜箔压合方式。另外，在成品板厚小于0.5mm以内的刚挠结合电路板，也均采用此结构。

在多层刚挠结合电路板中，需要使用半固化片进行粘合，但挠性区域为了避免将刚性层结合，在生产前，均是将此区域的半固化片通过激光或机械的方式去除后再使用。然而，当挠性区域半固化片镂空后，形成的台阶导致压合后挠性区域铜箔褶皱或者破裂，在后制程中，药水将会通过破裂的铜箔处残留到挠性空腔区域，从而咬蚀挠性层的覆盖膜。

此外，在刚挠结合电路板的工艺制作中，由于挠性基板为PI(聚酰亚胺)薄膜，因钻孔孔壁纤维化造成孔壁钻污及树脂残留。因此，必须使用等离子对孔壁进行清洁，等离子体清洗是利用用一个叫做等离子体的电离气体去除材料表面所有有机物的过程，通常是在真空室中利用氧气和氩气进行。半固化片镂空在压合后形成空腔，其空腔内残留的大气层空气在等离子真空环境下，会使空气因压力相差大而导致膨胀并导致分层现象

目前在解决此问题时，主要采用两种方法：

第一种方法：即是在等离子前，先在空腔区域钻一个排气孔，但此孔在等离子后，需要使用耐酸碱药水的胶带对此孔进行封孔，且需要保证100％无药水渗透，否则药水将会从此排气孔进入到空腔内。另外，因贴完胶带后，此区域厚度会高于板面，在做光成像压干膜及曝光时，会因板面不平整而带来压膜不实及曝光不良的隐患。

第二个方法：在上述流程中等离子前通过控深激光切割或机械的方式，将铜箔或挠性区域的刚性层先去掉，此方法虽然解决了等离子过程空腔区域空气膨胀问题，但将会裸露出贴在覆盖膜上的聚酰亚胺胶带及部份覆盖膜，该方法的贴聚酰亚胺胶带的区域距软硬交接处0.2-1.0mm，因此，实际覆盖膜也将露出在外0.2-1.0mm，在等离子除胶及化学铜时会对此区域覆盖膜进行咬蚀，从而导致可靠性隐患。另外，所贴聚酰亚胺胶带为可剥离的保护胶带，因此它与覆盖膜是没有结合力的，在等离子后的化学处理工序中，药水会渗透到所贴聚酰亚胺胶带与覆盖膜之间，且无法通过清洗线的烘干设备烘干，造成长时间对覆盖膜表面的二次腐蚀。同时，因提前去掉挠性区域的铜箔，此区域将会形成凹坑，在光成像压膜过程，凹坑边缘会因为落差导致干膜破碎，从而形成干膜残渣导致连线开路及焊盘缺口，对品质有严重的隐患。

发明内容

为解决现有技术问题，本发明提供一种铜箔法软硬结合电路板叠层结构，包括电路板本体，所述电路板本体包括挠性基板，所述挠性基板的正面和背面均设置有第一铜箔层，两个所述第一铜箔层的外侧均贴附有覆盖膜，两个所述覆盖膜的外侧贴附有可剥离保护膜；

所述电路板本体对应所述可剥离保护膜两侧的位置分别进行层压、激光控深切割形成挠性区域，位于所述挠性区域两侧的所述电路板本体形成刚性区域；