[发明专利]三维模型打孔处理方法、打印方法、相关设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202111165814.7 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113844034A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 刘鹏 申请(专利权)人: 深圳市纵维立方科技有限公司
主分类号: B29C64/386 分类号: B29C64/386;B33Y50/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 曹晔
地址: 518115 广东省深圳市龙岗区龙城街道尚景*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 三维 模型 打孔 处理 方法 打印 相关 设备 存储 介质
【说明书】:

本申请提供了一种三维模型打孔处理方法、打印方法、相关设备和存储介质。上述三维模型打孔处理方法包括:获取打孔模型参数;根据打孔模型参数在打印模型上设置打孔标记;对设置打孔标记后的打印模型进行切片,得到目标层切片。本申请实施例中,根据获取到的打孔模型参数在打印模型上设置打孔标记,对设置打孔标记后的打印模型进行切片,得到目标层切片;而不需要计算打孔模型和打印模型的三维相交区域,并对三维相交区域内的交点进行插值计算。上述方式通过将三维空间中的模型打孔运算降至二维空间处理,减少了计算量,以此提高了对三维模型进行打孔处理的效率。

技术领域

本申请属于打印技术领域,具体涉及一种三维模型打孔处理方法、打印方法、相关设备和存储介质。

背景技术

3D打印技术是一种以数字模型文件为基础,运用粉末状金属或塑料等可粘合材料,通过逐层堆叠累积的方式来构造物体的技术。

目前,使用3D打印技术对打印模型进行打孔时,需要计算得到打孔模型和打印模型的三维相交区域,对三维相交区域内的交点进行插值计算,进而得到进行打孔处理后的打印模型。

然而,上述过程涉及三维空间的处理,需要通过较为复杂的计算步骤对打孔模型和打印模型三维相交区域内的交点进行插值计算,计算量较多,且耗费了较多的计算时间,这降低了对三维模型进行打孔处理的效率。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种三维模型打孔处理方法、打印方法、相关设备和存储介质,能够解决现有的三维模型打孔处理方式涉及的计算量较多,打孔处理效率较低的问题。

第一方面,本申请实施例提供了一种三维模型打孔处理方法,该方法包括:

获取打孔模型参数;

根据所述打孔模型参数在打印模型上设置打孔标记;

对设置打孔标记后的打印模型进行切片,得到目标层切片。

第二方面,本申请实施例提供了一种三维模型打孔处理方法,包括:

确定打印模型对应的第二层切片和打孔模型对应的第三层切片;所述打印模型与所述打孔模型至少部分相交;

基于所述打印模型和所述打孔模型之间的位置关系,将所述第二层切片划分为第一子层切片和第二子层切片;所述第一子层切片为所述第二层切片中与所述第三层切片相交的层切片;

基于第一子层切片与相交的第三层切片之间的相交区域,更新所述第一子层切片;

将所述第二子层切片和更新后的第一子层切片,确定为目标层切片。

可选地,所述基于第一子层切片与相交的第三层切片之间的相交区域,更新所述第一子层切片包括:

确定所述第一子层切片的图像区域与相交的第三层切片的图像区域相交的第三图像区域;

在所述第一子层切片的图像区域中将所述第三图像区域对应的像素点转换成非图像像素点,得到更新后的第一子层切片。

可选地,所述基于所述打印模型和所述打孔模型之间的位置关系,将所述第二层切片划分为第一子层切片和第二子层切片包括:

读取所述第二层切片对应的第一坐标信息和所述第三层切片对应的第二坐标信息;

基于所述第一坐标信息和所述第二坐标信息,将包含所述第一坐标信息和所述第二坐标信息共同的坐标信息对应的第二层切片确定为所述第一子层切片;

将所述第二层切片中除所述第一子层切片之外的层切片,确定为所述第二子层切片。

可选地,所述将所述第二子层切片和更新后的第一子层切片,确定为目标层切片之后,所述方法还包括:

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