[发明专利]一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法

权利要求书

1.一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：制备铼包覆钨的核壳结构粉体；

步骤二：在步骤一制备的粉体中加入纳米级锇粉，制备出三元混合粉体；

步骤三：将步骤二制备的三元混合粉体预烧结，让纳米级细锇粉与金属铼发生合金化反应，形成铼锇包覆钨的三元核壳粉结构粉体；

步骤四：将步骤三的铼锇包覆钨的三元核壳粉结构粉体进行压制成型和烧结，制备产生具有孔隙的阴极基体，其中通孔占阴极基体体积大小为10％-30％；

步骤五：将步骤四制备的具有孔隙的阴极基体浸渍发射活性盐；

步骤六：根据阴极表面洁净度不同对浸渍发射活性盐的阴极表面进行处理，处理方式为水洗、酸洗、碱洗等清洗方式，或机械加工等物理处理方法，然后进行退火处理，即可得到钨铼锇三元混合基阴极。

2.按照权利要求1所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其特征在于，步骤一：制备铼包覆钨的核壳结构粉体：将钨粉与高铼酸铵在氢气管式炉中经过230℃和430℃两段还原，在还原过程中高铼酸铵在230℃保温2h先分解成氧化铼，在430℃保温2h氧化铼挥发后会在钨颗粒表面沉积形核并长大，最终形成铼包覆钨的特殊结构。

3.按照权利要求1所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其特征在于，步骤三：在铼包覆钨的核壳结构粉体中加入纳米级锇粉，将混合均匀的混合粉体在高温氢气炉中在1300℃保温30min得到铼锇包覆钨的三元核壳粉结构粉体。

4.按照权利要求1所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其特征在于，步骤四：采用粉末压片机双向模压成型，获得烧结生坯；将生坯在高温氢气炉中1500℃保温30min得到具有孔隙的阴极基体。

5.按照权利要求1所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其特征在于，活性盐主要包括氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化钨中的一种或几种与碱土族氧化物经过高温烧制而成的活性盐。

6.按照权利要求1所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，其中钨(W)40～60wt％：铼(Re)20～30wt％：锇(Os)15～40wt％。

7.按照权利要求6所述的一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，钨铼的比例为2：1。

8.按照权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极。