[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 202111168330.8 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115903392A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 颜伟年;李明;王秋华;贾瑞雯;周亨杰;赵玲娟;阚强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
1.一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，其特征在于，所述方法包括：
S1，将所述光刻对象的正面粘合于透明垫片(2)的第一面，其中，该透明垫片(2)的尺寸大于所述光刻对象的尺寸；
S2，对所述透明垫片(2)的第二面进行光刻，以形成一参考标识(3)，该参考标识位于粘合区域之外；
S3，根据所述参考标识在所述光刻对象的背面的特定区域光刻出光刻图形。
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻操作通过掩膜版进行，所述掩膜版包括第一掩膜版和第二掩膜版(5)，第一掩膜版上开设有第一标识口和晶圆定位口，第二掩膜版(5)上开设有第二标识口(4)和光刻口(6)；
在步骤S2中的光刻操作具体为：将所述第一掩膜版放置于所述透明垫片(2)的第二面上，晶圆定位口对准透过透明垫片(2)显示的晶圆(1)正面的图案，穿过第一标识口进行光刻形成所述一参考标识(3)；
在步骤S3中的光刻操作具体为：将所述第二掩膜版(5)放置于所述光刻对象的背面，对准第二掩膜版(5)上的第二标识口(4)与所述一参考标识，穿过第二掩膜版(5)的光刻口(6)对晶圆(1)背面进行光刻形成所述光刻图形。
3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述步骤S2中的光刻工艺包括：
S1在垫片(2)粘合晶圆(1)的另一面喷涂光刻胶；
S2将第一掩膜版的晶圆定位口对准透过垫片(2)显示的晶圆(1)正面，穿过第一标识口对光刻胶进行光刻、显影和烘干，形成所述一参考标识(3)。
4.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述步骤S3中的光刻工艺包括：
S1在晶圆(1)背面喷涂光刻胶；
S2将第二掩膜版(5)放置于垫片(2)粘合晶圆(1)的一面，对准第二掩膜版(5)上的第二标识口(4)与参考标识(3)，穿过第二掩膜版(5)的光刻口(6)对光刻胶进行光刻、显影和烘干，形成与光刻口(6)相同的图案。
5.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述步骤S1中的粘合方法为在垫片(2)上旋涂粘合剂，然后将晶圆(1)贴合于粘合剂上，并进行烘烤。
6.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述粘合剂可选用光刻胶。
7.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述粘合剂透明，且其在垫片(2)上的旋涂厚度大于1μm。
8.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述掩膜版可为一块，当掩膜版为一块时，掩膜版上的第一标识口与第二标识口(4)镜像对称。
9.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述垫片(2)的材质可选用石英玻璃。
10.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述垫片(2)的厚度不超过0.5mm。
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