[发明专利]一种光刻方法

说明书

本公开提供了一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，其特征在于，所述方法包括：S1，将所述光刻对象的正面粘合于透明垫片的第一面，其中，该透明垫片的尺寸大于所述光刻对象的尺寸；S2，对所述透明垫片的第二面进行光刻，以形成一参考标识，该参考标识位于粘合区域之外；S3，根据所述参考标识在所述光刻对象的背面的特定区域光刻出光刻图形。其无需对晶圆进行切割，对准精度高；不仅可在无双面光刻功能的普通光刻机上实现，降低了光刻设备的成本；还不受晶圆尺寸限制；同时可在进行接触式光刻时保护芯片，降低碎片风险，提高芯片成品率。

技术领域

本公开涉及半导体光电子器件制备工艺技术领域，具体涉及一种光刻方法。

背景技术

光刻，一种通过对涂有光敏材料的晶圆表面曝光、以掩膜版的图形区分为曝光区域和未曝光区域的图像转移技术。光刻技术在半导体技术的飞速发展过程中发挥了不可或缺的作用。在光刻工艺中，经常需要对晶圆的两面都进行光刻，这就需要在进行背面光刻时与正面图形进行对准。现如今，市面上已有的双面光刻设备采用的光刻技术大多分为两种：红外双面光刻对准技术和底部摄像记忆图像对准技术。

红外双面光刻对准技术，利用红外光穿透晶圆，可通过晶圆背面看到正面的图形，从而实现对准。但这种技术大多用于较薄晶圆的双面光刻，晶圆一旦超出限定厚度，红外线便很难穿透。

底部摄像记忆图像对准技术，通过在晶圆和掩膜版底下放置2个及以上的摄像显微镜。调整显微镜与掩膜版相对位置，并将图像信息存于电脑系统中，记录下两个摄像头与光刻版的位置信息。再将晶圆正面朝下，移入到掩膜版下方，摄像头的上方，在电脑系统中观察晶圆正面图形，调整晶圆位置使晶圆的像与保存的掩膜版的图形对准，从而实现背面光刻对准。该技术一方面对光刻设备提出了更高的要求，很大程度增加了背面光刻的设备成本；另一方面，该技术由于摄像头之间有一定距离，为实现多区域对准以提高对准精度，要求晶圆的大小不能小于摄像头之间的最小距离，这给以做小尺寸晶圆为主的科研工作者带来了很大的不便。

为解决以上问题，有研究者提出棱边对准法。棱边对准法是通过对晶圆切割的方式得到两条以上的棱边作为参考标识，与通过棱边提供位置信息，以达到背面光刻对准的目的。此类对准方法虽然能初步解决上述问题，但此方法很受切割精度的影响，切割后的棱边的平整度和位置的精确性很难保证，这使得对准精度大大折扣。

发明内容

针对现有技术存在的上述缺陷，本公开提供了一种光刻方法，其相比起对棱边对准法，无需对晶圆进行切割，对准精度高；不仅可在无双面光刻功能的普通光刻机上实现，降低了光刻设备的成本；还具有不受晶圆尺寸限制、精度高的优点；同时可在进行接触式光刻时保护芯片，降低碎片风险，提高芯片成品率。

本公开提供了一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，方法包括：S1，将光刻对象的正面粘合于透明垫片的第一面，其中，该透明垫片的尺寸大于光刻对象的尺寸；S2，对透明垫片的第二面进行光刻，以形成一参考标识，该参考标识位于粘合区域之外；S3，根据参考标识在光刻对象的背面的特定区域光刻出光刻图形。

可选地，光刻操作通过掩膜版进行，掩膜版包括第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版上开设有第一标识口和晶圆定位口，第二掩膜版上开设有第二标识口和光刻口；在步骤S2中的光刻操作具体为：将第一掩膜版放置于透明垫片的第二面上，晶圆定位口对准透过透明垫片显示的晶圆正面的图案，穿过第一标识口进行光刻形成一参考标识；在步骤S3中的光刻操作具体为：将第二掩膜版放置于光刻对象的背面，对准掩膜版上的第二标识口与一参考标识，穿过掩膜版的光刻口对晶圆背面进行光刻形成光刻图形。

可选地，步骤S2中的光刻工艺包括：S1在垫片粘合晶圆的另一面喷涂光刻胶；S2将掩膜版的晶圆定位口对准透过垫片显示的晶圆正面，穿过第一标识口对光刻胶进行光刻、显影和烘干，形成一参考标识。