[发明专利]一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管在审
| 申请号： | 202111170210.1 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113871366A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 彭钰 | 申请（专利权）人： | 彭钰 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 用多基岛 碳化硅 功率 开关 | ||
1.一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳(1)，其特征在于：所述封装外壳(1)的内部设置有第一基岛(3)、第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)，所述第一基岛(3)的正面设置有碳化硅芯片(7)，所述第二基岛(4)的正面设置有硅基MOS芯片(8)，所述第一基岛(3)、第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)的侧表面均设置有外接引脚(9)。
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述第一基岛(3)位于封装外壳(1)内部的右侧，所述第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)均位于封装外壳(1)内部的左侧，所述第一基岛(3)位于第二基岛(4)的右侧。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述第一基岛(3)的右侧设置有四个外接引脚(9)，所述第二基岛(4)的左侧设置有两个外接引脚(9)，所述第三基岛(5)和第四基岛(6)的左侧均设置有一个外接引脚(9)。
4.根据权利要求1所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述碳化硅芯片(7)通过连接线(2)与第二基岛(4)和第四基岛(6)连接，所述硅基MOS芯片(8)通过连接线(2)与第三基岛(5)和第四基岛(6)连接，所述连接线(2)材质采用铜线或铝线，所述第一基岛(3)、第二基岛(4)、第三基岛(5)和第四基岛(6)均采用可导电金属材质。
5.根据权利要求3所述的一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，其特征在于：所述外接引脚(9)的一端位于封装外壳(1)的外部，所述外接引脚(9)与封装外壳(1)的内部固定。
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